型号:

DDTA114GUA-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DDTA114GUA-7-F 产品实物图片
DDTA114GUA-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-323
库存数量
库存:
2850
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.221
200+
0.144
1500+
0.124
3000+
0.11
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)300@5mA,5V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DDTA114GUA-7-F

概述

DDTA114GUA-7-F是美台(DIODES)公司推出的一款高性能PNP型数字晶体管,采用SOT-323封装。这款晶体管专为低功耗应用而设计,具备高增益和快速的开关性能,特别适用于数字和模拟电路中的信号放大。该器件具有优异的电性参数,使其在各种电子应用中具备广泛的适用性。

基础参数

  1. 类型: PNP – 预偏压型晶体管
  2. 集电极电流(Ic): 最大值为100mA,适合中小功率负载。
  3. 集射极击穿电压(Vce): 最大值为50V,满足多个电路工作的要求。
  4. 发射极电阻(R2): 10 kOhms,有助于提高电路的稳定性和可靠性。
  5. DC电流增益(hFE): 在5mA和5V条件下,最小增益值为30,表示其在小信号条件下良好的放大能力。
  6. 饱和压降(Vce(sat)): 最大值为300mV,在500µA和10mA条件下,显示了该器件在过载环境下的低导通电压,有助于提升电路效率。
  7. 集电极截止电流(ICBO): 最大值为500nA,表现出其在关闭状态下的低漏电流。
  8. 频率响应: 最大跃迁频率达到250MHz,适合高频信号处理。
  9. 功率最大值: 200mW,支持多种应用场合。
  10. 安装类型: 表面贴装型,便于集成在现代紧凑型电路中。

封装与安装

DDTA114GUA-7-F采用SOT-323封装,体积小巧,适用于高密度PCB布局。SOT-323封装的设计不仅保证了良好的散热性能,同时也增强了器件的耐久性。在现代电子产品小型化的趋势下,该封装类型为设计师提供了更多的灵活性和便利性。

应用场景

DDTA114GUA-7-F广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制系统。凭借其优良的电流增益和频率特性,该晶体管常用于:

  • 信号放大: 在音频Amplifier和RF放大器中。
  • 开关控制: 用于电源管理(比如高效开关电源)和LED驱动等应用。
  • 数字电路: 常用作逻辑电平转换,例如在微控制器和外设之间,实现信号的增强和传输。

性能优势

  1. 高增益特性: 该产品在小信号应用中可提供稳定的增益,降低了设计复杂度。
  2. 低功耗及低泄漏电流: 适用于对电源管理要求较高的系统,可以有效延长电池寿命。
  3. 快速响应: 最大跃迁频率达到250MHz,显著提升高速信号处理能力。
  4. 适应广泛的应用电压范围: 50V的击穿电压使其可以在多种工作环境下安全运行,增加了产品的适用性。

结论

DDTA114GUA-7-F是一款功能强大、性能可靠的PNP数字晶体管,具备丰富的应用潜力。凭借其卓越的电气性能、便于集成的封装形式和高效能,DDTA114GUA-7-F成为电子设计工程师在开发紧凑型和高效能电路时的理想选择。无论是在消费产品还是工业设备中,这款晶体管都能够为系统提供出色的性能支持,帮助设计师实现更加高效和持久的电子解决方案。