型号:

DDTA115EUA-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DDTA115EUA-7-F 产品实物图片
DDTA115EUA-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-323
库存数量
库存:
1770
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.272
200+
0.175
1500+
0.153
3000+
0.134
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)40V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)82@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)3V@2mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)100mV@5mA,0.25mA
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

产品概述: DDTA115EUA-7-F

一、产品简介

DDTA115EUA-7-F是DIODES(美台)公司推出的一款高性能密封型PNP晶体管,具有预偏压特性,适用于多种电子应用。该晶体管采用SOT-323封装,适合表面贴装 (SMD) 安装方式,能够满足现代电子设备日益小型化的需求。其设计目标是提供优越的电流放大性能与可靠的工作效率,使其成为开关与放大电路中理想的选择。

二、主要参数

  1. 晶体管类型: PNP - 预偏压
  2. 额定电流: 集电极最大电流 (Ic) 为100mA,适合中低功耗应用。
  3. 击穿电压: 集射极最大击穿电压 (Vce) 为50V,为电路提供了良好的电压承受能力。
  4. 基极电阻 (R1): 100 kΩ,能够与现代微控制器及数字逻辑电路兼容,提供适当的偏置电流。
  5. 发射极电阻 (R2): 100 kΩ,增强对操作稳定性的保障。
  6. 电流增益 (hFE): 在不同的Ic和Vce条件下,hFE最小值为82,确保了良好的放大能力。
  7. 饱和压降 (Vce( sat )): 最大值为300mV,适用于低功耗应用,进一步减少功耗。
  8. 集电极截止电流: 最大值为500nA,提供了低能耗休眠状态下的性能。
  9. 频率响应: 跃迁频率达到250MHz,适合高频应用,确保了高速开关和运算能力。
  10. 功率额定值: 最大功率为200mW,具备适中的功率处理能力,更适合小型固态电路。
  11. 封装类型: SOT-323,具有紧凑设计,有助于多功能电路板的高密度布局。

三、应用领域

DDTA115EUA-7-F可以广泛应用于以下领域:

  1. 开关电路: 作为开关元件,其高频切换能力和低饱和压降使其在电源管理及自动化控制电路中表现出色。
  2. 信号放大器: 在音频或射频应用中,用于信号放大,提供充足的增益来确保信号质量。
  3. 开关电源和电池管理: 适用于电源转换器和电池充电电路的保护和控制。
  4. 传感器接口: 适合信号调理,与传感器配合实现高效能数据传输。
  5. 消费电子产品: 在各类智能设备中,用于运算放大、信号切换等。

四、优势与特点

  1. 强大的热稳定性与可靠性: DDTA115EUA-7-F的高电压和电流额定值保证了设备在高压力环境中的可靠运行,尤其适合长时间工作或高温条件下的应用。

  2. 卓越的电流增益: 随着Ic和Vce的变化,晶体管依然能够保持良好的电流增益,适合多种电路需求。

  3. 小巧的封装: SOT-323封装的优点在于其小尺寸和轻量化,非常适合空间有限的应用。

  4. 低功耗设计: 在关断状态下,DDTA115EUA-7-F的集电极截止电流极低,极大地减少了待机能耗。

五、最终思考

作为一款高性能的PNP数字晶体管,DDTA115EUA-7-F在电路设计中提供了灵活性与可靠性,能够支持多种应用场景。无论是在工业级、商用或消费类电子产品中,其卓越的特性必将为工程师和设计师带来极大的便利。在追求更高效率与更小尺寸的现代电子设备中,DDTA115EUA-7-F无疑是不可或缺的选择。