型号:

DESD18VF1BLP3-7

品牌:DIODES(美台)
封装:X2-DFN0603-2
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DESD18VF1BLP3-7 产品实物图片
DESD18VF1BLP3-7 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.322
500+
0.215
5000+
0.186
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)18V
最大钳位电压17V
峰值脉冲电流(Ipp)1A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)20W
击穿电压19V
通道数单路
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)
类型ESD

产品概述:DESD18VF1BLP3-7 瞬态抑制二极管

一、基本介绍

DESD18VF1BLP3-7 是由美台半导体(DIODES)公司生产的一款高性能瞬态抑制二极管(TVS二极管),专门用于电子电路的瞬态电压抑制和过压保护。这款器件采用表面贴装型(SMD)封装,型号为 X2-DFN0603-2,适合高密度电路板应用。其设计旨在为敏感元件提供极佳的电压保护,避免因电压瞬变导致的电路故障。

二、产品特点

  1. 电压特性

    • 反向断态电压(VR)最大值为18V,在瞬态电压条件下,其最低击穿电压为19V,这确保了在未出现过压时,器件不会误工作。
    • 在过压保护的情况下,器件的箝位电压(最大值)为17V,可以有效限制过电压对下游电子元件的影响。
  2. 电流承受能力

    • DESD18VF1BLP3-7 在10/1000µs(或8/20µs)脉冲期间,峰值脉冲电流可达1A。这使得它在面对短时间高电流的瞬态情况下,能够承受并及时响应,从而保护电路。
  3. 功率特性

    • 峰值脉冲功率高达20W,能够处理瞬时高能的电流冲击,有效抑制由外部电磁干扰或静电放电(ESD)引发的电压尖峰。
  4. 工作温度范围

    • 器件可在-65°C至150°C的温度范围内工作,确保在极端环境下也能保持良好的性能,适用范围广泛。
  5. 电容特性

    • 在1MHz频率下的电容值为0.3pF,意味着在高频信号传输情况下,器件对信号的影响极小,适合高速电路设计。

三、应用场景

DESD18VF1BLP3-7 瞬态抑制二极管广泛应用于各种电子设备,特别是在需要较高抗干扰能力的场合。常见的应用领域包括:

  • 通信设备:防止由雷电或静电引起的过电压损伤,确保设备的稳定性和可靠性。
  • 消费电子:为如手机、平板电脑等产品提供过压保护,延长使用寿命。
  • 工业控制:在自动化设备和传感器系统中,保护关键电路不受瞬态电压干扰。
  • 汽车电子:随着汽车电子化水平的提升,保护车载电路免受外部电压浪涌影响变得尤为重要。

四、总结

DESD18VF1BLP3-7 瞬态抑制二极管是一款性能卓越的保护元件,其稳定的电压特性、较高的电流承受能力以及宽广的工作温度范围使其成为众多电子应用的理想选择。无论是在通信设备、消费电子还是工业控制领域,该器件都能够有效保障电路的安全和稳定。随着电子设备日益向小型化和高性能发展,该款二极管提供的高效保护将显得愈发重要,确保现代电子设备在各种环境下可靠运行。