型号:

DSS4140V-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT563
批次:22+
包装:编带
重量:0.012g
其他:
DSS4140V-7 产品实物图片
DSS4140V-7 一小时发货
描述:三极管(BJT) 600mW 40V 1A NPN SOT-563
库存数量
库存:
2965
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.504
200+
0.325
1500+
0.283
3000+
0.25
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)600mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1A,5V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)190mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DSS4140V-7 NPN 三极管

DSS4140V-7是一款高性能的NPN型双极晶体管(BJT),专为多种电子应用而设计。该器件在功率放大、开关应用及其他相关电路中表现出色,其卓越的参数和特性使其成为电子工程师和设计师的理想选择。

关键特性

  1. 电流和电压性能

    • 最大集电极电流 (Ic):DSS4140V-7的集电极最大电流为1A,适合在高电流应用场景下稳定运行。
    • 集射极击穿电压 (Vce(max)):该器件的最大集射极击穿电压为40V,允许在相对较高电压环境中安全操作,确保其在多种应用中的可靠性。
  2. 低饱和压降

    • 在200mA集电极电流条件下,DSS4140V-7的集电极-发射极饱和压降(Vce(sat))最大为440mV。这一低饱和压降大幅提升了工作效率,尤其是在开关应用中,可减少功耗。
  3. 高增益特性

    • 本器件在不同集电极电流和集射极电压条件下,具备最小DC直流电流增益(hFE)为300(在500mA时),这意味着它能够在较低输入电流条件下,更好地驱动较高输出电流,降低前端驱动电路的功耗。
  4. 极低的集电极截止电流

    • DSS4140V-7的集电极截止电流最高为100nA,这使得该器件在静态条件下表现出良好的能效,特别适用于需要长时间待机的电子设备。
  5. 频率响应

    • 本三极管的跃迁频率达到150MHz,适合于高频应用,确保其在快速开关和信号处理中的有效性。
  6. 环境适应性

    • DSS4140V-7被设计为在-55°C到150°C的广泛温度范围内工作,使其在极端环境条件下仍然能够正常运转,适合汽车、工业及军事等要求高可靠性的应用。
  7. 表面贴装设计

    • 该器件的封装为SOT-563,支持表面贴装技术(SMT),在现代电子电路板设计中提供了更高的空间利用率与布线灵活性。

应用场景

由于上述优异的特性,DSS4140V-7可广泛应用于各种领域,例如:

  • 开关电源:作为开关元件来控制电源管理和能量转换流程。
  • 音频放大器:通过提供必要的增益,DSS4140V-7能够增强音频信号的幅度,使其适合于高保真音频系统。
  • 射频应用:其高频特性使其可以在射频放大器和信号处理器中有效使用。
  • 传感器电路:参与信号放大和处理,提高传感器的响应能力。

结论

DSS4140V-7凭借其出色的电气性能和灵活的应用能力,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。其在低功耗、高效能和高频性能方面的优异表现,满足了各类创新产品的需求,是希望提高系统性能和可靠性的设计工作者的理想选择。无论是在工业、消费电子还是军事应用领域,DSS4140V-7都将在推动技术进步和产品发展中扮演重要角色。