型号:

ZXTP5240F-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SSOT-23
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
ZXTP5240F-7 产品实物图片
ZXTP5240F-7 一小时发货
描述:三极管(BJT) 730mW 40V 2A PNP SOT-23-3
库存数量
库存:
290
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.572
200+
0.394
1500+
0.358
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)730mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)300@100mA,2V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)350mV@200mA,2A
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

ZXTP5240F-7 产品概述

ZXTP5240F-7是一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),主要设计用于高频开关和线性放大应用。作为一款表面贴装型器件,这款晶体管采用SOT-23封装,以适应现代电子设备对小型化与高效率的需求。下面将从技术规格、应用场景及电气特性等方面对ZXTP5240F-7进行详细介绍。

技术规格

  1. 晶体管类型:ZXTP5240F-7为PNP型晶体管,意味着其导电模式为负极性电流。这种特性使其在多个电路配置中应用广泛,与NPN型晶体管相辅相成。

  2. 最大集电极电流 (Ic):该器件支持最大集电极电流为2A。这意味着ZXTP5240F-7可用于需要较大电流驱动的应用,如电机驱动和高功率放大等。

  3. 最大集射极击穿电压 (Vce):其最大集射极击穿电压为40V,使其能够在较高电压环境下稳定工作,保证了电路的安全性与可靠性。

  4. 饱和压降 (Vce(sat)):在200mA和2A的不同电流条件下,Vce饱和压降最大值为350mV,这表明该晶体管在工作时能够保持较低的功耗,适合于高效率的电源设计。

  5. 最大功率:ZXTP5240F-7的最大功率额定值为730mW,这使其适合在功率不高但需要稳定工作的场合使用。

  6. 频率特性:该器件具备100MHz的跃迁频率,可用于高速开关电路,满足高频应用的需求。

  7. 工作温度范围:工作温度范围为-55°C至150°C,这使得ZXTP5240F-7适用于各种极端环境,如汽车电子、航空航天以及工业控制领域。

  8. 封装:该器件采用SSOT-23封装,具有良好的热性能和电气特性,且支持表面贴装,便于自动化焊接和集成到电路中。

应用场景

ZXTP5240F-7广泛应用于多种场景,包括但不限于:

  1. 开关电源:由于其适应较高电流和电压的特性,ZXTP5240F-7非常适合用作开关电源中的开关元件。可被用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等电源产品中。

  2. 信号放大:在音频放大器和信号调理电路中,ZXTP5240F-7作为线性放大器,可用于提升信号的强度。

  3. 电机驱动:该晶体管可以用于小型电机的驱动回路中,尤其是需要负载控制的场合。

  4. 其他消费类电子产品:由于其小巧的封装和广泛的工作温度范围,ZXTP5240F-7也适用于许多消费类电子产品,如移动电话、便携式设备等。

电气特性

ZXTP5240F-7的DC电流增益(hFE)在标准条件下为300(@100mA,2V),这使得它在信号放大的场合能够有效提升输出信号。同时,其集电极截止电流(ICBO)最大不超过100nA,确保了在关闭状态时的低泄漏电流,进一步提高了器件的效率和可靠性。

结论

ZXTP5240F-7是一款性能优越、适用范围广泛的PNP型晶体管,适合各种高频开关和线性放大应用。凭借其出色的电气特性和可靠的工作性能,该晶体管成为电子工程师在设计电路时的重要选择之一,助力整个电子行业向更高效和小型化的方向发展。无论是在工业控制系统、消费电子产品还是汽车电子设备中,ZXTP5240F-7都将发挥其重要作用。