描述：场效应管(MOSFET) 1.204nF@15V 19mΩ 30V U-DFN2020-6
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.08
100+
0.868
500+
0.789
2500+
0.73
5000+
0.695
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@10V,8.6A
功率(Pd)710mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19.6nC
输入电容(Ciss@Vds)1.204nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)112pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
DMP3026SFDF-13 产品概述
DMP3026SFDF-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为要求高效率和小尺寸设计的应用而开发。作为 DIODES 公司的代表性产品，它采用了先进的金属氧化物半导体技术，具有优越的电气性能和极为紧凑的封装形式。该元件的主要特点和应用领域使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。
基础参数
FET 类型: P 通道
- P 通道 MOSFET 通常用于高边开关和低边开关应用，能够较好地控制大功率负载。
最大漏源电压 (Vdss): 30V
- 此产品的最大漏源电压为 30V，适用于不超过此电压的各种应用。
连续漏极电流 (Id): 10.3A @ 25°C
- 本款 MOSFET 的高电流承载能力使其能够有效驱动负载，尤其适合需要大电流开关的场合。
导通电阻 (Rds On): 最大值 19 毫欧 @ 4.5A，10V
- 低导通电阻确保在开关操作时的功率损耗最小化，提高了整体能效。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 250µA
- 该参数使得 DMP3026SFDF-13 可在较低的栅极驱动电压下操作，增强了其在低电压应用中的兼容性。
输入电容 (Ciss): 最大值 1204pF @ 15V
- 这一低输入电容特性优化了开关速度和反应时间，适合高频应用。
栅极电荷 (Qg): 最大值 19.6nC @ 10V
- 较小的栅极电荷有助于降低驱动功耗，提高开关效率。
功率耗散 (Pd): 最大值 2W
- 这使得该器件能够在相对较高功率下稳定工作，适合高功率密度应用。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 广泛的工作温度范围使 DMP3026SFDF-13 优化了在极端环境条件下的性能。
封装类型: 表面贴装型 U-DFN2020-6
- 该封装形式不仅节省了印刷电路板空间，还便于自动化贴装，提高了设计灵活性。
应用场景
DMP3026SFDF-13 广泛应用于各种电源管理和开关控制的场合，包括：
- 便携式电子设备: 本产品能够在有限的空间内实现高效的电源开关，适合智能手机、平板电脑及其他低功耗设备。
- 电源转换器: 在 DC-DC 转换器中，DMP3026SFDF-13 用于功率开关，有助于提高转换效率。
- 汽车电子: 由于其耐高温的特性，该 MOSFET 可用于汽车电源管理系统，确保在严苛环境下的可靠运行。
- 工业控制: 在自动化设备和工业控制系统中，本 MOSFET 被广泛用于电机驱动和负载切换，提升了控制精度。
结论
DMP3026SFDF-13 是一款集成了高效能和可靠性于一身的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、小型封装和宽温工作范围，充分满足现代电子设备对高效开关性能的需求。无论是在消费电子还是工业应用领域，这款 MOSFET 都能提供卓越的性能，是工程师在设计高效率电源和开关控制方案时的不二选择。