型号:

FMMT558QTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:2年内
包装:编带
重量:1g
其他:
FMMT558QTA 产品实物图片
FMMT558QTA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 400V 150mA PNP SOT-23-3
库存数量
库存:
6028
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.39
100+
1.07
750+
0.889
1500+
0.808
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)400V
功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@50mA,10V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@20mA,2mA
工作温度-55℃~+150℃

FMMT558QTA 产品概述

FMMT558QTA 是一种高性能的 PNP 型双极结晶体管(BJT),主要用于各种电子电路中的信号放大和开关应用。该器件由 DIODES (美台)公司制造,具备卓越的电气性能和可靠性,适用于广泛的工作环境,是许多现代电子产品设计中的理想选择。

主要参数

  1. 电流与功率处理能力
    FMMT558QTA 的集电极电流(Ic)最大值为 150mA,适合用于大部分小型功率放大电路。此外,其最大功率可达 500mW,使其能够在一定的功耗范围内稳定运行,确保其在高温和高负载环境下的可靠性。

  2. 电压处理能力
    在电压方面,FMMT558QTA 的集射极击穿电压(Vceo)最大值为 400V,使其能够处理较高的电压,适合用在电源开关、驱动电路以及保护电路等多种应用中。

  3. 饱和压降性能
    该晶体管在不同基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下的 Vce 饱和压降最大值为 500mV(@ 6mA,50mA),这是一个重要的指标,因为较低的饱和压降意味着该器件在开关状态时具有较高的效率,能够降低功率损耗和热量产生。

  4. 增益特性
    FMMT558QTA 的直流电流增益 (hFE) 最小值为 100(@ 50mA,10V),这表明该晶体管在提供一定的基极电流下,能够有效地放大集电极电流。这一特性使其广泛应用于信号放大电路中,保证了信号的清晰和强度。

  5. 高频性能
    FMMT558QTA 的频率跃迁达到 50MHz,这使其在需要高频响应的应用中表现优异,如高频开关和射频电路。

  6. 温度范围
    该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合用于恶劣环境下的应用,确保在极端温度条件下仍能稳定工作。

  7. 封装特性
    FMMT558QTA 采用 SOT-23-3 表面贴装封装,适合现代电子产品的小型化设计。该封装提供了优良的散热性能和可焊接性,使得其在 PCB 上集成更为方便。

应用领域

FMMT558QTA 的优越特性使其能够应用于多种场景,包括但不限于:

  • 电源管理:在开关电源或线性电源中作为开关元件,控制电流流动。
  • 音频放大器:用于音频信号的放大,提升音频质量。
  • 信号处理:在各种信号处理电路中,提升信号的强度。
  • 驱动电路:用作小型电机或继电器的驱动。
  • 医疗电子:在一些需要高精度和高可靠性的医疗设备中应用。

总结

FMMT558QTA 是一款性能强大的 PNP 型晶体管,凭借其卓越的电气参数、宽广的工作温度范围和小巧的 SOT-23 封装,适合在各种严苛条件下的应用。无论是在消费电子、工业设备还是医疗器械方面,FMMT558QTA 都能为设计者提供强有力的支持,帮助他们开发出高性能和高效率的电子产品。