DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13 电子元器件产品概述

一、产品简介

DMT8012LK3-13 是一款由美台 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有优异的电流承受能力和较低的导通电阻。该型号特别适合高性能开关应用，可广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动及负载开关等多种领域。由于其高达 44A 的连续漏极电流能力、80V 的漏源电压以及良好的热性能，使其在紧凑的电路设计中表现出色。

二、主要参数

1. 制造商: Diodes Incorporated
2. 零件状态: 有源
3. FET 类型: N 通道
4. 技术: MOSFET
5. 电流: 连续漏极电流 (Id) 44A（在结温 Tc=25°C 下）
6. 导通电阻 (Rds(on)): 17 毫欧 @ 12A，10V (最大值)
7. 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 250µA
8. 最大驱动电压 (Vgs): ±20V
9. 功率耗散: 最大值 2.7W（在环境温度 Ta 下）
10. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温 TJ）
11. 安装类型: 表面贴装型
12. 封装类型: TO-252 (DPAK)
13. 漏源电压 (Vdss): 80V
14. 栅极电荷 (Qg): 最大值 34nC @ 10V
15. 输入电容 (Ciss): 最大值 1949pF @ 40V

三、应用场景

DMT8012LK3-13 MOSFET 的设计使其适用于多种应用场景，包括：

• 电源管理: 其高电流能力与低导通电阻有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。
• DC-DC 转换器: MSP（主开关功率管和同步整流 MOSFET）功能的组合优化可以实现高效的电能转换。
• 电机驱动: 在驱动电机时，能够提供快速开关，提升系统响应速度和效率。
• 负载开关: 可作为高效负载切换开关，有助于保护电路和降低待机功耗。

四、技术特点

1. 低导通电阻: DMT8012LK3-13 在额定条件下具有非常低的导通电阻，意味着在开启状态下其能量损耗更小，大幅提高整体系统的效率。
2. 高热稳定性: 该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其适合各种苛刻环境下的应用。
3. 易于集成: 采用TO-252表面贴装封装，便于集成到自动化线路板生产中，提高生产效率。
4. 良好的开关特性: 快速的开关特性使其在高频应用中得以发挥，能够满足对速度和响应迅速的要求。

五、总结

DMT8012LK3-13 N 通道 MOSFET 结合了高电流能力、低导通电阻和优越的热特性，已经成为目前市场上具有竞争力的电子元器件，适用于各种高效能应用。无论是电源管理还是高频转换，其出色的性能都得到广泛认可。选用 DMT8012LK3-13 作为设计方案的一部分，将为用户提供更加可靠和高效的电路解决方案。