IRFP23N50LPBF

IRFP23N50LPBF 产品概述

产品名称: IRFP23N50LPBF
类型: N沟道MOSFET
制造商: VISHAY（威世）
封装类型: TO-247-3

1. 产品描述

IRFP23N50LPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，设计用于高压应用。此器件具有极高的电气性能和热性能，适合在各种电源管理和开关应用中使用。它的额定漏源电压为 500V，能够满足大部分工业及消费类设备对高电压工作的需求。最大连续漏极电流为 23A，使得该器件在处理大型负载时依然表现出色。

2. 主要参数

• 漏源电压 (Vdss): 500V
• 连续漏极电流 (Id): 23A（在 Tc=25°C 时）
• 导通电阻 (Rds(on)): 最大 235 毫欧 @ 14A，10V
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 5V @ 250µA
• 驱动电压 (Vgs): 最小 10V
• 栅极电荷 (Qg): 最大 150nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss): 最大 3600pF @ 25V
• 功率耗散（Pd）: 最大 370W（在 Tc 条件下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

3. 应用场景

IRFP23N50LPBF 适用于多个领域，包括：

• 开关电源: 因其高电压和高电流能力，能够在各种开关电源设计中提供可靠的性能。
• 电机控制: 在电机驱动和控制领域，由于其快速开关特性，能够提高电机效率并降低能耗。
• 电力逆变器: 适合用作逆变器中的开关元件，尤其是在可再生能源应用（如太阳能逆变器）中。
• DC-DC 转换器: 在各种 DC-DC 转换电路中充当开关，提供高效能的电源解决方案。

4. 性能优点

• 高效率: IRFP23N50LPBF 的低导通电阻提供出色的效率，特别适合需要高功率和高频率的应用。
• 可靠性: 该器件在宽广的温度范围内工作良好，使其在严苛环境下也能持续运行。
• 快速开关特性: 低栅极电荷使得开关速度快，有助于提升总系统的性能。
• 良好的热管理: 它的功率耗散能力高达 370W 可以有效管理在高负载条件下的热量，从而增加系统的可靠性和使用寿命。

5. 封装与安装

该器件采用 TO-247-3 封装，适合通孔安装，便于集成到各种电路板设计中。TO-247 封装的设计使其能够以高效的方式传导热量，以支持高功率应用。

6. 设计建议

在使用 IRFP23N50LPBF 进行设计时，建议设计者在栅极驱动电路中考虑适当的栅极电阻，以优化开关特性并减少电磁干扰。此外，电路设计应确保对漏源电压、漏极电流和热管理的考虑，确保MOSFET在其指定的工作条件下长时间良好工作。

结论

IRFP23N50LPBF 是 VISHAY（威世）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，其在高电压和大电流应用中表现出色，能够满足现代电子设计对高效率和高可靠性的需求。结合其卓越的电气特性和良好的热管理能力，使其成为电源转换、智能电机驱动及各类工业控制系统中的理想选择。