型号:

PMT280ENEAX

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-223-3
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
PMT280ENEAX 产品实物图片
PMT280ENEAX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 770mW 100V 1.5A 1个N沟道 SOT-223-3
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.34
50+
1.04
1000+
0.955
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)385mΩ@10V,1.5A
功率(Pd)1.92W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)195pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)9pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:PMT280ENEAX

PMT280ENEAX是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由Nexperia USA Inc.制造,专为各种电源管理及开关应用而设计。其采用了表面贴装型(SMD)封装,具体封装类型为SOT-223-3,使得其在空间受限的应用场景中具有极佳的安装灵活性。

主要参数与特性

  • 电流容量:在25°C环境下,PMT280ENEAX具有连续漏极电流(Id)为1.5A的能力,满足了中小功率开关应用的基本要求。
  • 漏源电压:该器件可承受高达100V的漏源电压(Vdss),适合用于高压电源电路和功率管理系统。
  • 导通电阻:PMT280ENEAX在10V的栅电压(Vgs)下,其最大导通电阻(Rds On)为385毫欧,保证了在高负载下良好的导通性能,减少了功耗以及发热量。
  • 栅极驱动要求:该MOSFET在最小的栅极驱动电压(Vgs)为4.5V时,即可达到最佳导通状态,这让其在多种逻辑级别的控制电路中具备良好的兼容性。
  • 开关性能:在栅极电荷(Qg)方面,PMT280ENEAX在10V条件下显示出最大值为6.8nC,这为快速开关提供了优越的性能,极大地提升了开关速度,适合高频开关电源应用。

热特性

PMT280ENEAX的功率耗散能力为770mW(在25°C环境下),使得其能够在持续工作中保持较低的温度。而其工作温度范围广泛(-55°C至150°C),确保了在各种极端温度环境条件下都能保持可靠的性能。此外,器件能够承受高达±20V的栅电压,进一步增强了其应用的灵活性。

适用场景

PMT280ENEAX适合应用于各种电子设备中,如:

  • DC-DC转换器:在功率转换及管理环节,作为开关元件,提高转换效率。
  • 负载开关:在智能设备中,以其高额电流能力管理供电及负载情况。
  • 马达驱动电路:为直流电机的控制提供高效而可靠的开关控制。
  • 便携式电子设备:由于其小巧的SOT-223封装,适用于移动设备的电源管理。

整体评价

总体而言,PMT280ENEAX以其优越的电气性能及稳定性,成为了各种电源管理及开关应用中不可或缺的元器件。它不仅满足了常见应用的要求,同时也为高效、环保的电源系统打下坚实的基础。凭借其卓越的热特性和兼容性,这款MOSFET为电子设计工程师提供了可靠的解决方案,是现代电子设计中一款理想的选择。