型号:

PMV164ENEAR

品牌:Nexperia(安世)
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
PMV164ENEAR 产品实物图片
PMV164ENEAR 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 640mW;5.8W 60V 1.6A 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
5684
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.849
200+
0.585
1500+
0.532
3000+
0.497
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)164mΩ@10V,1.6A
功率(Pd)640mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)110pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)11pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

PMV164ENEAR 产品概述

一、产品基本信息

PMV164ENEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),属于汽车级产品系列,符合 AEC-Q101 标准。这款 MOSFET 具备出色的电气性能和耐环境能力,是汽车电子及工业应用中理想的选择。

二、产品特点

  1. 电流和电压特性: PMV164ENEAR 支持最大的持续漏极电流为 1.6A,漏极源间最大电压达到 60V。这意味着它在较高电压和较大电流的应用中能够长时间稳定工作。

  2. 导通电阻和驱动电压: 不同漏极电流 Id 和栅极-源电压 Vgs 的导通电阻(Rds(on))最大值为 218 毫欧(在 1.6A 和 10V 时测得)。此外,该MOSFET 在 4.5V 和 10V 的驱动电压下均能实现最优性能,使其在多种工作条件下具有良好的导电性。

  3. 热特性: PMV164ENEAR 具备出色的功率处理能力,最大功率耗散为 640mW(在环境温度 Ta 下)和 5.8W(在结温 Tc 下),这样的设计有效提高了器件在高温环境下的工作可靠性。这款组件的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 175°C,适用于各种严苛的汽车环境。

  4. 栅极电荷和输入电容: 该型号 MOSFET 在 Vgs 为 10V 时,栅极电荷 (Qg) 最大值为 3.8nC,输入电容 (Ciss) 最大值为 110pF(在 30V 时测得)。这些特性表明其在快速开关应用中的高效性能,尤其适合于高频、大功率的应用场景。

  5. 封装类型: PMV164ENEAR 采用表面贴装的 TO-236AB 封装(SOT-23-3 封装形式),体积小巧,便于在各种尺寸的电路板上进行安装,特别适用于空间受限的设计。

三、应用领域

  1. 汽车电子: PMV164ENEAR 广泛应用于汽车电子控制单元(ECU)、电动助力转向(EPS)、电源供应模块等汽车应用中。其高温和高电压性能使其成为汽车行业的理想选择。

  2. 工业设备: 在工业控制系统中,该 MOSFET 可以用作开关元件,支持电机驱动、功率放大等功能,确保设备的高效运行。

  3. 消费电子: 此外,PMV164ENEAR 也适用于各种消费类电子产品中的电源管理、电池保护和功率转换等电路。

四、总结

PMV164ENEAR 是一款性能优异的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电流和电压特性、出色的热性能和小巧的封装设计,非常适合于汽车电子以及其他需要高温、高功率密度的应用。无论是在恶劣的环境条件下,还是在高频、大功率的应用场景中,PMV164ENEAR 都能稳定运行,保证系统的安全性和可靠性,成为工程师们在设计时的优先选择。