PMV25ENEAR

PMV25ENEAR 产品概述

制造商: Nexperia USA Inc.
产品系列: Automotive, AEC-Q101
封装类型: SOT-23-3 (TO-236AB)
状态: 有源

1. 产品简介

PMV25ENEAR 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为汽车应用与高要求环境下设计。其符合 AEC-Q101 标准，确保了其在苛刻条件下的可靠性与稳定性。该 MOSFET 的巧妙设计和高效能为各种电源管理和开关电路提供了理想解决方案。其紧凑的 SOT-23 封装使其适用于空间受限的应用场景。

2. 主要参数

• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 条件下，PMV25ENEAR 可以承载高达 5.5A 的电流，为各种驱动应用提供了充分的电流支持。
• 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 30V，确保其在多种电压环境下的有效工作。
• 导通电阻（Rds(on)）: 当栅极电压 (Vgs) 为 10V 时，PMV25ENEAR 的导通电阻最大值为 24 毫欧，保证了较低的功耗和热量产生，从而提高了系统的整体效率。
• 工作温度范围: 本产品的工作温度范围广泛，从 -55°C 至 150°C，适合极端环境使用。
• 功率耗散: 根据封装的不同，PMV25ENEAR 的最大功率耗散为 460mW（环境温度 Ta）和 6.94W（结温 Tc），确保其在高负载条件下的稳定性。

3. 特性与优势

• 高可靠性: PMV25ENEAR 的设计遵循汽车行业标准，确保其在长期运行中的可靠性与稳定性，适合汽车电子设备、工业控制以及消费类电子产品等应用。
• 快速开关特性: 该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）在 10V 时最大仅为 18nC，快速的开关特性使其适合高频率的开关应用，减少开关损耗，提高系统效率。
• 优良的热管理: 通过良好的热设计，PMV25ENEAR 能够更好地管理发热，在高电流和高功率情况下仍能保持良好的性能。
• 低栅极驱动电压: 该器件的 Vgs(th) 最大值为 2.5V，允许低栅电压驱动，有助于简化电路设计并降低控制电路的功耗。

4. 应用场景

PMV25ENEAR 适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 汽车电子: 由于其通过了 AEC-Q101 认证，特别适合用于车辆的电源管理系统、电动助力转向、LED 驾驶灯及电池管理系统等。
• 工业控制: 该 MOSFET 可用于工业自动化设备，电机控制和其他高可靠性要求的系统。
• 消费电子: 包括移动设备、智能家居产品和便携式设备中的电源管理和开关控制电路。

5. 结论

PMV25ENEAR MOSFET 是一款性能卓越、可靠性高、且能满足各种严苛应用需求的 N 通道 MOSFET。凭借其优越的电气特性、耐环境性能和紧凑的封装设计，使其成为电子工程师在选择合适的功率开关器件时的理想选择。无论是在汽车、工业还是消费电子领域，PMV25ENEAR 都彰显了高效能与优质可靠性的良好平衡，进一步推动现代电子设备的发展。