描述：场效应管(MOSFET) 478mW；8.36W 60V 3.1A 1个N沟道 TO-236AB
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库存：
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（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.3
100+
0.997
750+
0.831
1500+
0.755
3000+
0.701
产品参数
属性参数值
制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）60 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.7V @ 250µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）478mW（Ta），8.36W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-236AB
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
漏源电压（Vdss）60V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）19nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）646pF @ 30V
产品概述: PMV55ENEAR
PMV55ENEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），专为汽车应用设计，并符合 AEC-Q101 标准。这款 MOSFET 在设计上不仅具有高效能和低功耗特性，还具备广泛的工作温度范围，使其适合于各种严苛的环境条件。其封装为 TO-236AB（也可称为 SOT-23-3），此表面贴装型器件在小型化设计和高可靠性方面表现出色。
基础参数和性能
PMV55ENEAR 的一些重要参数如下：
- 持续漏极电流 (Id): 3.1A（在 25°C 时）。
- 漏源电压 (Vdss): 60V，为各类应用提供了充足的电压承受能力。
- 门极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.7V @ 250µA，确保了低压驱动的兼容性。
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 60 毫欧 @ 3.1A，10V，的低导通电阻使得该 MOSFET 在开关工作状态下的功耗极低。
- 功率耗散: 最大功耗为 478mW（在环境温度 Ta 下），同时也证明了在结温 Tc 下可以达到高达 8.36W 的热管理能力。
在输入特性方面，PMV55ENEAR 采用了出色的栅极电荷特性，最大栅极电荷 (Qg) 为 19nC @ 10V，输入电容 (Ciss) 最大值为 646pF @ 30V，确保了良好的 switching 行为和响应速度。
应用场景
由于其特殊的设计和优异的电气性能，PMV55ENEAR 适用于多种应用场景，尤其是汽车电子领域。以下是一些特定的应用领域：
- 电源管理: 由于其低导通电阻和高效率，PMV55ENEAR 非常适合用于稳压器和DC-DC转换器的输出开关。
- 负载开关: 该器件能够在低电压和高电流条件下可靠地控制负载，是汽车系统中电源控制和管理的理想选择。
- 电动汽车电子: 随着电动汽车的普及，PMV55ENEAR 的低功耗和高耐压特性，使其在电动驱动和辅助系统中发挥重要作用。
- 传感器和执行器接口: 在需要快速开关响应的汽车系统中，这款 MOSFET 可用于驱动传感器和执行器，从而提高整体系统效率。
结论
总之，PMV55ENEAR 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，在汽车行业的应用中表现出色。凭借其符合 AEC-Q101 标准、宽工作温度范围、低导通电阻及优越的开关性能，这款器件为设计工程师提供了强大的解决方案，能够满足现代汽车电子系统对高效能、低功耗和高可靠性的严格要求。无论是在电源管理、负载控制还是电动汽车应用方面，PMV55ENEAR 都是优选的电子组件。