PMV75UP,215

产品概述：PMV75UP,215 P沟道MOSFET

概述

PMV75UP,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 P 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件专为现代电子设计而开发，提供出色的电气性能和高效率，适用于多种应用场景，包括功率管理、开关电源，以及各种需要低导通电阻的负载控制与驱动方案。

主要特点

1. 高连续漏极电流：PMV75UP,215 在室温下（25°C）提供高达 2.5A 的连续漏极电流，使其适合于处理中等电流负载，满足大多数应用的需求。

2. 低导通电阻：该器件的导通电阻（Rds(on)）在最大情况下为 102 毫欧，测试时条件为 Id = 2.5A，Vgs = 4.5V。这一特性极大地降低了在工作时的能量损失，提高了整体系统效率。

3. 宽广的工作温度范围：PMV75UP,215 的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，适应各种恶劣环境的要求，使其可以在工业、汽车和通信等领域正常工作。

4. 高耐压能力：漏源电压(Vdss)达 20V，确保能够承受较高的电压冲击，适合多样的电源管理应用。

5. 适用于低电压驱动：该器件的 Vgs(th) 最大值为 900mV（@ 250µA），并支持 1.8V 和 4.5V 的驱动电压调节，方便与不同逻辑电平的控制信号兼容。

6. 紧凑的封装设计：采用 TO-236AB 封装（SOT-23-3），优化了PCB布局空间，易于在紧凑型设计中应用，有助于降低整体产品体积。

应用场景

PMV75UP,215 能够广泛应用于以下领域：

• 电源管理：在 DC-DC 转换器和功率分配模块中，PMV75UP,215 是一种有效的开关元件，可以实现高效率的电源转换，最大限度地减少能量损耗。

• 开关控制：凭借其快速开关特性，该 MOSFET 能够在各种电子开关电路中提供高效控制，如电机驱动和灯光控制等。

• 负载驱动：由于其高电流承载能力，PMV75UP,215 特别适合用于制动控制、电磁阀或继电器等负载的直接驱动。

性能参数

• 连续漏极电流 (Id): 2.5A (Ta)
• 最大 Rds(on): 102 mΩ @ 2.5A, 4.5V
• 最大 Vgs(th): 900 mV @ 250µA
• 最大 Vgs: ±12V
• 功率耗散: 490 mW (Ta), 5W (Tc)
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 输入电容 (Ciss): 550 pF @ 10V
• 栅极电荷 (Qg): 7.5 nC @ 4.5V

结论

总体而言，PMV75UP,215 以其优秀的电气特性和可靠性，成为当代电子设计中不可或缺的重要元器件之一。无论是在低功耗应用还是在要求严苛的工业环境中，其都能提供卓越的表现，是设计工程师们的理想选择。其紧凑的封装和出色的性能使得 PMV75UP,215 在各种现代电子设备中有着广泛的应用前景。