型号：
PSMN045-80YS,115
品牌：Nexperia(安世)
封装：LFPAK56-5
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.74
100+
2.11
750+
1.84
产品参数
属性参数值
制造商Nexperia USA Inc.
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）45 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）56W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳SC-100，SOT-669
漏源电压（Vdss）80V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）12.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）675pF @ 40V
产品概述：PSMN045-80YS,115
基本信息
PSMN045-80YS,115 是 Nexperia（安世）制造的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其设计旨在满足各种高功率和高效率电子应用的需求。它采用 LFPAK56 封装，并具有优越的导电性能，适合用于电源管理、DC-DC 转换器以及汽车电子等多种场合。
关键规格
- 制造商：Nexperia USA Inc.
- 类型：N 通道 MOSFET
- 最大漏源电压（Vdss）：80V
- 连续漏电流（Id）：24A（在 Tc=25°C 条件下）
- 导通电阻（Rds(on)）：在 Vgs = 10V、Id = 5A 时最大值为 45 毫欧。这一低导通电阻使得 MOSFET 在开关过程中的功耗降至最低，从而提升了整体电能转换效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 4V（在 Id=1mA 时测得）。这一特性使得 MOSFET 在较低的栅压下即可开始导通，适应多种控制需求。
- 栅极驱动电压（Vgs）：最大为 ±20V，提供了较大的设计灵活性。
- 功率耗散：在 Tc=25°C 时最大可达 56W，这使得其在高功率应用中表现稳定。
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C 的广泛工作温度范围为其在极端条件下的应用提供了保障。
- 封装类型：LFPAK56，5 针（4+Tab）结构，兼具小型化和良好的热管理能力。
性能特点
高效率与低功耗：PSMN045-80YS,115 采用低导通电阻设计，使得此款 MOSFET 在开启状态下功率损耗极低，提升了整体效率，特别适合用于需要高频率转换的电路。
广泛的应用范围：无论是在消费电子、工业设备，还是在汽车电子中，该产品都适配性强。尤其在电动汽车和清洁能源系统中的功率转换应用，能够显著降低能量损失。
优秀的热管理：LFPAK56 封装的设计提供了良好的散热特性，增强了器件的可靠性和使用寿命。这使得电子产品在高负载和高温环境下运行时，也能保持卓越性能。
现代电路设计的兼容性：该产品的栅极驱动电压和阈值电压特性，能够与现代 PWM 控制器及逻辑电平兼容，简化电路设计并优化控制性能。
小型化：表面贴装型的封装方式，有助于产品小型化设计，使得在空间受限的应用场合也能得到良好的实现。
应用场景
PSMN045-80YS,115 可广泛用于以下几个领域：
- 电源管理：作为开关设备，应用于 AC-DC 以及 DC-DC 转换器中，提高能量转换效率。
- 电动汽车：在电池管理系统中，控制充放电过程，提高电池使用效率和安全性。
- 电机控制：在各种类型的电机驱动中，实现高效控制，提高系统的动力学响应。
- 工业自动化：在工业设备的电源管理和控制中，提升产品的稳定性与可靠性。
总结
PSMN045-80YS,115 是一款完美结合高效能与可靠性于一体的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和严苛的环境适应能力，在现代电子设计中，尤其是在要求高功率、高效率的应用场合中，提供了坚实的保证。Nexperia 的这款产品无疑为工程师和设计人员带来了更多的设计灵活性和创新可能。