型号:

PSMN1R0-40YLDX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK56-5
批次:-
包装:编带
重量:0.14g
其他:
PSMN1R0-40YLDX 产品实物图片
PSMN1R0-40YLDX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 198W 40V 280A 1个N沟道 LFPAK-56
库存数量
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最小包:1500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
13.12
100+
11.93
750+
11.58
1500+
11.3
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)280A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.1mΩ@10V,25A
功率(Pd)198W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)127nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)8.845nF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

PSMN1R0-40YLDX 产品概述

基本信息

PSMN1R0-40YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道MOSFET(MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),具有卓越的电流承载能力和低导通电阻特性。该器件采用 LFPAK56 封装,并且设计用于满足多种高功率应用的需求。PSMN1R0-40YLDX 的关键参数使其在电源转换、电动汽车、工业控制和其他高频开关电源系统中表现出色。

主要特性

  1. 高电流承载能力: PSMN1R0-40YLDX 在 25°C 时的连续漏极电流为 100A,在适当的散热条件下,能够支持更高的瞬时电流(最大可达 280A),彰显出该器件的强大能力,能够轻松应对高强度的工作负荷。

  2. 低导通电阻: 该器件在 10V 处的导通电阻(Rds(on))最大值为 1.1 毫欧,意味着在工作过程中能够有效降低功率损耗,提高整体能效。

  3. 宽工作温度范围: PSMN1R0-40YLDX 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,确保在极端环境下也能稳定运行,是各种恶劣条件下应用的理想选择。

  4. 高功率耗散能力: 该 MOSFET 的最大功率耗散值为 198W,这使得它非常适合于高功率、电流密集的应用场景。

  5. 广泛的栅极驱动电压: 该器件的最大 Vgs 可达 ±20V,满足不同的驱动需求,最大 Rds(on) 驱动电压为 10V,支持多种应用型号并具有较好的灵活性。

  6. 低栅极电荷和输入电容: PSMN1R0-40YLDX 的栅极电荷(Qg)最大为 127nC,输入电容(Ciss)最大为 8845pF。这些参数使得开关速度快,适合在高频开关应用中使用,减少开关损失,提高效率。

应用场景

PSMN1R0-40YLDX 的设计使其广泛适用于以下领域:

  • 开关电源: 在电源管理和转换系统中提供高效的开关性能,满足不同电流和电压需求。
  • 电动汽车: 作为动力控制和能量转换的关键元件,能够应对电动汽车中对功率和性能的严格要求。
  • 工业自动化: 支持快速开关和高负载控制在工业设备中的应用,为各种电气控制系统提供可靠保障。
  • UPS(不间断电源)系统: 在不间断电源系统中,提供必要的电流转换效率和可靠性,以满足负载需求。

封装与安装

PSMN1R0-40YLDX 采用 LFPAK-56 封装,这是一种表面贴装型封装,适合现代电子设备的紧凑布局需求。LFPAK-56 封装的设计有助于显著提高散热性能,优化产品的整体热管理。

总结

综上所述,PSMN1R0-40YLDX 是一款令人印象深刻的 N 通道 MOSFET,具有高电流处理能力、低导通电阻、宽温度范围及杰出的可靠性。凭借其卓越的性能和适应性,PSMN1R0-40YLDX 能够满足高功率电子应用的需求,是设计工程师在选择功率管理器件时推荐的优选方案。无论是在电动汽车、开关电源还是工业自动化领域,该元件都能够有效提升系统的效率与稳定性。