产品概述:PSMN1R2-30YLC,115
一、基本信息
PSMN1R2-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高效能 N 通道 MOSFET,特别设计用于各类高频率和高功率应用。该器件采用卷带(TR)封装,适合表面贴装技术(SMD),可以大幅度提升电路的集成度与性能。
二、器件特性
电流与电压规格
- 连续漏极电流 (Id):在 25°C 的环境温度下,该器件能够承受高达 100A 的电流,适用范围广泛,尤其是在高负载应用中表现良好。
- 漏源电压 (Vdss):该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V,符合多种电源管理及控制应用的要求。
导通电阻和驱动电压
- Rds(on):在 10V 的栅极驱动电压下,该器件的最大导通电阻为 1.25 毫欧(@ 25A),极低的导通电阻使其能够实现更高的效率和较低的功耗。
- 驱动电压 (Vgs):为了保证器件在高效工作下,驱动范围为 4.5V 至 10V,适应不同的电路需求。
三、热管理和功率耗散
- 功率耗散 (Pd):PSMN1R2-30YLC,115 的最大功率耗散为 215W(Tc),在长时间运行过程中能够有效控制温升,提高系统的稳定性及寿命。
- 工作温度范围:该器件在 -55°C 至 175°C 的工作温度区间内均能正常运作,适用于严格环境下的应用。
四、动态参数
- 栅极电荷 (Qg):在 10V 的驱动下,栅极电荷为 78nC,低栅极电荷值使得驱动电路的损耗更低,响应速度更快。
- 输入电容 (Ciss):在 15V 的漏源电压下,输入电容达到了 5093pF,适合高开关频率应用,增强了系统的响应能力。
五、应用场景
PSMN1R2-30YLC,115 MOSFET 适合用于以下领域:
- DC-DC 转换器:在开关电源中提供必要的开关性能,降低系统的能量损耗,提升能效。
- 电动车辆与电池管理系统:能够承受高电流,适用于电动汽车中对软件及硬件的集成的可靠性需求。
- 工业控制:在自动化设备中,能够高效控制电动机和其它负载,确保系统的可靠性与经济性。
- 电源管理:用于多种电源适配器及相关设备中,保障电压及电流的稳定和安全。
六、封装特性
PSMN1R2-30YLC,115 器件采用 LFPAK56-5 封装,这种封装设计优化了热管理及空间利用,使其在高功率应用中能够更好地散热,减小占板空间的同时提高散热效率,适合于密集布线的工业和消费电子产品。
结论
PSMN1R2-30YLC,115 是一款高性能、低导通电阻、广泛应用的 N 通道 MOSFET,非常适合现代电子设计中的多种高功率及高频率应用。凭借其优异的电气性能和宽广的工作温度范围,这款 MOSFET 无疑将成为电源管理、工业自动化以及电动车辆等领域的重要组成部分。