描述：场效应管(MOSFET) 194W 30V 250A 1个N沟道 LFPAK-56
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750+
3.47
1500+
3.33
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)250A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.24mΩ@10V,25A
功率(Pd)194W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)68nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.616nF@15V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
产品概述：PSMN1R2-30YLDX
制造商: Nexperia USA Inc.
封装类型: LFPAK56-5
器件类型: N通道MOSFET
零件状态: 有源
PSMN1R2-30YLDX是一款高性能的N通道场效应管（MOSFET），其设计目标是满足各种高效能电源管理和开关应用的需求。该元器件采用先进的MOSFET技术，结合了优异的热性能和电气特性，使其非常适用于高电流和高电压的工作环境。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc），支持高达250A的脉冲电流。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V的驱动电压下，最大导通电阻为1.24毫欧，确保在大电流工作时的低功率损耗。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.2V @ 1mA，适合多种驱动条件。
- 驱动电压: 支持4.5V和10V的多种驱动电压配置，以适应不同的应用需求。
- 功率耗散: 最大194W，有助于在高温和高功率条件下的稳定工作。
- 工作温度范围: -55°C至175°C，宽广的工作温度范围使其能在苛刻的环境中正常运行。
物理特性
PSMN1R2-30YLDX采用LFPAK56封装，这是一种专为功率元件设计的表面贴装封装形式，具备较好的散热性能和小尺寸化设计。该封装适合密集的电路板布局，使其在空间受限的应用中表现出色。其外形尺寸符合SC-100和SOT-669标准，能够方便与其他元器件进行组合。
电气特性
- 栅极电荷 (Qg): 在10V驱动时的最大栅极电荷为68nC，能有效降低开关损耗，提高转换效率。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为4616pF @ 15V，使其在高频应用中表现优越，减少输入驱动需求。
应用场景
PSMN1R2-30YLDX广泛应用于：
- DC-DC转换器
- 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电力驱动系统
- 工业电源管理系统
- 高效电源适配器
- 开关控制器
其低导通电阻和高电流承载能力使得该MOSFET在电力电子领域十分理想，特别是在需要高效能和高功率的应用场合。
竞争优势
PSMN1R2-30YLDX在同类产品中具有显著优势，其优秀的导通电阻和高电流处理能力使其在直流到直流转换器和其他需要快速开关的应用中表现出色。此外，其高达175°C的工作温度上限使得这一产品在高温环境中也能够保持良好的性能。
总结
总体而言，PSMN1R2-30YLDX是Nexperia生产的一款高效率、高可靠性的N通道MOSFET，适用于各类高电流和高电压的应用。无论是在电动交通工具、工业设备还是高效电源适配器中，它都表现出色。其独特的设计和卓越的电气性能，使其成为现代电源管理解决方案中的重要组成部分。选择PSMN1R2-30YLDX，将为您的设计提供更多的灵活性和可靠性。