描述：场效应管(MOSFET) 106W 30V 100A 1个N沟道 LFPAK-56
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750+
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4mΩ@10V,25A
功率(Pd)106W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)31.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.256nF@15V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
PSMN2R4-30YLDX 产品概述
1. 引言
PSMN2R4-30YLDX 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），专为高效能电源管理和开关应用而设计。这款 MOSFET 融合了先进的制造工艺和创新的封装技术，能够在苛刻的环境条件下实现卓越的电流和功率处理能力。
2. 基本参数
- 零件状态: 有源
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- FET 类型: N 通道
- 功率耗散（最大）: 106W（在 Tc 下测试）
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 最大连续漏极电流 (Id): 100A（在 Tc 下测试）
- 最大栅极电压 (Vgs): ±20V
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 2.4 毫欧 @ 25A，10V
3. 性能特征
PSMN2R4-30YLDX 在一系列操作条件下表现出卓越的电气性能：
- 低 Rds(on): 为了降低能量损耗和热量产生，这款 MOSFET 在高频率开关应用中极具优势。其最大导通电阻仅为 2.4 毫欧，确保了在高电流条件下的高效能。
- 宽工作温度范围: 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，尤其适合要求严苛的应用环境，如汽车电子和工业控制系统。
- 低电荷传递特性: 最大栅极电荷 Qg 为 31.3 nC，这大大降低了驱动电路所需的功耗和热量产生，提高了开关频率的适应性。
4. 应用场景
PSMN2R4-30YLDX 的优异性能使其在多种应用场景中表现出色，包括但不限于：
- 电源转换器: 用于DC-DC转换器和开关电力供应器（SMPS），实现高效的电源管理。
- 电机驱动: 在电机控制和驱动电路中，能够有效地调节电流，实现精确控制。
- 汽车电子: 应用于汽车电源管理、照明和其他电子模块，保证高温和挑战性环境中的稳定性。
- 工业自动化: 适用于各种工业设备的智能开关和控制系统，以优化能效和稳定性。
5. 封装与安装
PSMN2R4-30YLDX 提供 LFPAK56 封装（SC-100），这种表面贴装型封装设计旨在最小化寄生电感和电容，提高开关性能，其紧凑的设计和低热阻特性进一步促进了散热管理。
结论
总体而言，PSMN2R4-30YLDX MOSFET 是一款面向高功率和高可靠性应用的理想选择，凭借其出色的电气特性和广泛的应用适应性，能够满足现代电子设备日益复杂的性能要求。无论是在电源管理、汽车应用还是工业自动化领域，这款 MOSFET 都能为设计工程师提供强大而灵活的解决方案。