描述：场效应管(MOSFET) 115W 40V 120A 1个N沟道 SOT-669
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750+
4.42
1500+
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@25A,10V
功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.245nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)251pF@20V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
PSMN3R5-40YSDX 产品概述
概述
PSMN3R5-40YSDX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），它的设计目标是为高电流和高功率应用提供优异的驱动效率和热管理能力。凭借其 40V 的漏源电压（Vdss）、120A 的连续漏极电流（Id）、以及 115W 的最大功率耗散，PSMN3R5-40YSDX 在多种应用场合表现出色，特别适用于高效率开关电源、电动汽车及其他需要高可靠性的电源管理系统。
主要性能参数
- 漏源电压 (Vdss): 40V，适合于中低电压电路。
- 电流 - 连续漏极 (Id): 120A，非常适合需要高负载能力的应用。
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 3.5 毫欧 @ 25A，10V 的驱动电压，这一低阻值使得其在工作时的功耗降至最低，提高整个电路的效率。
- 功率耗散 (Pd): 最大值达 115W，确保在高负载运行时 MOSFET 不易过热。
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C，保证了在极端环境下的可靠性和稳定性。
驱动和控制
PSMN3R5-40YSDX 的栅极电荷 (Qg) 值为 19nC @ 10V，意味着其在低驱动电压情况下也能快速导通，从而降低了开关损耗，提升了开关频率。栅极-源电压 (Vgs) 的最大值为 ±20V，提供了一定的灵活性以满足不同电路设计的需要。此外，Vgs(th) 的最大值为 3.6V @ 1mA，能够确保在较低的栅极电压下也能导通，为设计提供了广泛的适用性。
寸法和封装
PSMN3R5-40YSDX 采用 LFPAK56 封装形式，具有优良的散热特性和适合表面贴装（SMD）的设计。其尺寸小巧，适合于空间受限的电子产品。封装的设计使其能更好地应对电连接时的电磁干扰（EMI），在高频应用中保持稳定性。
应用场景
PSMN3R5-40YSDX 特别适合于以下应用领域：
- 开关电源（SMPS）：在电源转换过程中，MOSFET 可用于充当开关，以提高能量效率。
- 电动汽车：在电动汽车动力系统中，MOSFET 的高电流承载能力是实现高效能的关键。
- 电动马达驱动：在驱动电动机时，MOSFET 能够快速切换并降低能耗。
- 电源管理系统：可用于电源路径的开关、调节和分配，提高电子设备的可靠性和灵活性。
结论
PSMN3R5-40YSDX是一款功能强大、性价比高的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和极宽的工作温度范围，适用于各种高功率应用。无论是在设计高效开关电源、推动电动汽车发展，还是在普通电子设备的电源管理中，PSMN3R5-40YSDX 都可以成为一种理想的解决方案。