PSMN9R8-30MLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),采用 LFPAK33 表面贴装型封装。该器件的设计和制造考虑到了广泛的应用场合,尤其是在需要高效能和高可靠性的电源管理和开关电路中。
导通电阻: PSMN9R8-30MLC在不同工作条件下表现出极低的导通电阻。在 10V 的驱动电压下,持续漏极电流为 15A 时的最大导通电阻为 9.8 毫欧,这使得该器件在低功耗应用中表现出色,能够有效降低功耗和热损耗。
高漏极电流能力: 该MOSFET在 25°C 时可持续承载高达 50A 的漏极电流,适用于对电流需求较高的应用场合,如电源转换、有源开关和电机控制等。
宽工作温度范围: PSMN9R8-30MLC 的工作温度从 -55°C 到 175°C,表明其能在极端环境条件下可靠运行,适合航空航天、汽车电子及工业控制等要求严苛的应用。
电压规格: 本器件的漏源电压(Vdss)高达 30V,具备较强的电压耐受能力,使其适用于中压开关电路。
栅驱动电压: PSMN9R8-30MLC 有着灵活的驱动电压要求,在 4.5V 和 10V 下均能实现最佳的导通效能,这使得其在不同电路设计中得到广泛应用。
高功率耗散: 它的最大功率耗散能力为 45W,适合动态负载和耐高功率应用,能够有效扩展其使用的场景。
低输入电容和栅极电荷: 对于高频应用,PSMN9R8-30MLC 的输入电容 (Ciss) 最大值为 690pF(在15V下),栅极电荷 (Qg) 最大值为 10.9nC(在10V下),这提供了快速开关能力,降低了开关损耗,并提高了整体系统的效率。
PSMN9R8-30MLC 采用 LFPAK33-8 封装形式,这种表面贴装型封装提供了较好的散热性能和较小的尺寸,便于在高密度电路中进行布置。其适用的卷带包装(TR)方式也简化了生产和搬运过程。
PSMN9R8-30MLC 在多个领域均可找到其身影,主要包括但不限于:
PSMN9R8-30MLC,115 是一款具有优异性能和灵活应用范围的 N 通道 MOSFET。现代电子设备对高效率、高性能组件的需求日益增加,而 Nexperia 的这款产品恰好满足了这一需求。无论是在高频、高温还是高电流的严苛环境中,PSMN9R8-30MLC 都能提供超凡的表现,成为设计师和工程师理想的选择。