型号:

PUMB2,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSSOP
批次:24+
包装:编带
重量:0.037g
其他:
PUMB2,115 产品实物图片
PUMB2,115 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置 SOT-363
库存数量
库存:
3000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.269
200+
0.174
1500+
0.151
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@2mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.2V@100uA,5V
输入电阻47kΩ
电阻比率1
工作温度-65℃~+150℃

PUMB2,115 产品概述

一、产品简介

PUMB2,115 是一款高性能双 PNP 预偏压式数字晶体管,专为满足各类电子应用的需求而设计。作为 Nexperia(安世)推出的一款创新产品,PUMB2,115 采用表面贴装型封装,具有小尺寸和高功率容量,适合在空间受限的设计中使用。其独特的电气特性使其广泛应用于开关电源、放大器和信号调理电路中,提供可靠且高效的电流控制。

二、技术规格

PUMB2,115 的关键技术参数如下:

  • 晶体管类型:双 PNP
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce(max)):50V
  • 基极电阻 (R1):47千欧
  • 发射极电阻 (R2):47千欧
  • 直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA,5V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):150mV @ 500µA,10mA
  • 集电极截止电流 (Ic(max)):1µA
  • 最大功率额定值:300mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

三、性能优势

  1. 高电流增益:PUMB2,115 提供最小 80 的直流电流增益,使其在工作中能够高效放大输入信号,满足多数模拟信号处理要求。

  2. 低饱和压降:在高达 150mV 的饱和压降下,PUMB2,115 能够在较小功耗的情况下,维持良好的开关性能,极大地提高了整体电路的效率。

  3. 低集电极截止电流:其最大集电极截止电流仅为 1µA,有助于进一步降低待机功耗,这在便携式和低功耗应用中尤为重要。

  4. 宽工作电压范围:最大击穿电压为 50V,适用于电源电压较高的多种应用场景。

  5. 小型封装:采用 6-TSSOP 封装,适合高密度放置,大幅优化电路板空间利用率。

四、应用场景

PUMB2,115 的特点使其在多种应用中表现出色:

  • 消费电子:用于音频放大器、开关电源、照明控制及其他需要高效 low-side 或 high-side 开关的设备。

  • 工控设备: 适用于传感器信号调理,电机驱动控制等场合,能够适应高频开关操作。

  • 通信设备:在 RF 放大器、信号放大器及各种无源和有源收发器中发挥重要作用。

  • 家庭自动化:借助其高电流增益和低功耗特性,非常适合智能家居控制模块和其他自动化设备。

五、结论

PUMB2,115 是一款兼具高性能和小型化设计的双 PNP 预偏压数字晶体管,适用于多种电子应用场合。其卓越的电流增益、低饱和压降以及小巧封装使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是对功耗控制仍是对电路空间的敏感性,PUMB2,115 均能为设计师提供最佳解决方案,帮助他们在日益激烈的市场竞争中实现创新与高效的产品开发。

如需进一步了解 PUMB2,115 的详细信息或其在特定应用中的表现,欢迎与我们的专业团队联系,我们将竭诚为您提供支持与服务。