型号:

PUMH1,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSSOP
批次:23+
包装:编带
重量:1g
其他:
PUMH1,115 产品实物图片
PUMH1,115 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
库存数量
库存:
2770
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.278
200+
0.18
1500+
0.156
3000+
0.138
产品参数
属性参数值
晶体管类型2个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.7V@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.1V@100uA,5V
输入电阻22kΩ
电阻比率1

PUMH1,115 产品概述

概述

PUMH1,115是一款由安世半导体(Nexperia)生产的高性能数字晶体管,采用6-TSSOP封装,设计用于多种电子应用。这款器件配备两个预偏置的NPN晶体管,能够提供出色的电流增益和高频特性,使其在信号放大、开关和数字电路中表现出色。PUMH1,115以其精巧的封装和强大的性能参数,为设计工程师提供了极大的灵活性。

关键参数

  • 晶体管类型: PUMH1,115包含两个NPN晶体管,它们采用预偏压方式,能够有效降低启动电流,适用于需要快速响应的应用场景。
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA,支持较大的负载驱动,适合在各种消费电子和工业设备中使用。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V,确保在较高电压条件下长期稳定运行,满足各种应用场景的需求。
  • 基极电阻 (R1)发射极电阻 (R2): 均为22 kΩ,使得该器件具有稳定的工作点和良好的增益性能。

电流增益

PUMH1,115的直流电流增益(hFE)在不同的集电极电流 (Ic) 和基极电流 (Ib) 下表现良好,最低可以达到60 @ 5mA,5V。这一增益特性使得该晶体管在推动更大负载时更加高效,从而减少功耗。

饱和压降

该器件的最大饱和压降(Vce(sat))为150mV @ 500µA,10mA,意味着在开关状态下功耗低,能效高,适合用于需要频繁开关的应用场景。

频率响应

PUMH1,115的跃迁频率为230MHz,这使得它能够在高频信号处理中稳定工作,能够满足现代数据信号传输与处理的需求。在高频应用中,能够有效避免信号失真,确保信号的完整性和清晰度。

功耗

该款数字晶体管的最大功耗为300mW,设计上充分考虑了热管理问题,在工作过程中可以有效避免过热现象,保证长时间可靠运行。

封装和安装

PUMH1,115采用6-TSSOP封装,这种表面贴装型设计非常适合现代电子设备的紧凑化需求。由于其小巧的尺寸,能够节省PCB空间,同时为设备内部设计提供更多的灵活性。

应用领域

PUMH1,115广泛应用于各类电子设备,包括但不限于:

  • 数字电路:适合用于开关电路、信号调理电路。
  • 消费电子:如手机、平板、音响系统等。
  • 工业控制:例如PLC、阀门控制器等。
  • 计算机硬件:适用于处理器之间的信号放大和切换。

总结

PUMH1,115是一款功能强大且灵活的数字晶体管,凭借其优异的电气特性和小巧的封装,非常适合需要高效能和高密度设计的现代电子产品。无论是在消费类电子还是工业应用中,PUMH1,115都能够提供可靠的性能和优秀的效率,成为设计工程师的理想选择。由于其完整的功能特性和稳定性,PUMH1,115无疑是未来电子设计中值得信赖的选择。