PXN4R7-30QLJ

产品概述：PXN4R7-30QLJ N通道MOSFET

制造商背景 PXN4R7-30QLJ是由Nexperia USA Inc.制造的一款N通道MOSFET，Nexperia是全球领先的半导体解决方案供应商，专注于MOSFET、二极管、逻辑器件和其他基础电子组件的开发和生产。凭借其高效、可靠的产品，Nexperia致力于为多种应用提供最佳解决方案。

产品基本参数 PXN4R7-30QLJ的主要参数包括：

• FET类型: N通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压 (Vdss): 30V
• 连续漏极电流 (Id): 25°C时为15A（环境温度），74A（在晶体管工作温度下）
• 控制栅压 (Vgs): 最大值为±20V
• 导通电阻 (Rds On): 不同电流（Id）和栅源电压（Vgs）条件下的最大值为4.7 毫欧（在15.2A，10V条件下）
• 栅极电荷 (Qg): 在10V下，最大值为46.2nC
• 最大功率耗散: 在环境温度下最大值为1.8W，而在晶体管本体温度下达到42W
• 工作温度范围: 从-55°C到150°C（TJ）

封装与安装 PXN4R7-30QLJ采用MLPAK33封装，规格尺寸为3.3mm x 3.3mm，是一种便于表面贴装的设计，适合应用于各种空间受限的电子设备。卷带（TR）包装方式使其适合自动化生产线，出色的兼容性使得PXN4R7-30QLJ极易于集成到多种电路设计中。

应用 PXN4R7-30QLJ MOSFET因其优异的电气特性和广泛的工作温度范围，适合多种应用场景，主要包括但不限于：

1. 电源管理: 作为开关元件，在DC-DC变换器、降压和升压变换器中具有广泛应用。
2. 电机驱动: 可用于控制直流电动机陶电流，以提高电机驱动的效率。
3. 负载开关: 可以用于开关电源中的负载管理，提供高效的开关控制。
4. 自动化设备: 由于其高电流承载能力，PXN4R7-30QLJ适合用于工业自动化与物联网设备。
5. 消费电子: 在各种消费性产品中，提供稳定的电源供应与控制。

优势 PXN4R7-30QLJ提供了出色的导通效率和低功耗特性，同时具有良好的热管理性能。其限制电流特性和小表面积封装使其成为现代电路设计的理想选择。采用MOSFET技术的先进设计，PXN4R7-30QLJ能够在高频下快速开关，有效提高电路的总体效率。

总结 PXN4R7-30QLJ N通道MOSFET凭借其稳定的性能、宽广的工作温度和高电压、电流处理能力，成为当今电子电路设计中不可或缺的组件之一。在对功率管理及能效要求日益提升的背景下，PXN4R7-30QLJ无疑将为多种应用场景提供高效、可靠的解决方案。对于电子工程师及设计师来说，选择PXN4R7-30QLJ将为其设计的产品增加竞争优势。