型号:

2SK209-GR(TE85L,F)

品牌:TOSHIBA(东芝)
封装:SC-59
批次:2年内
包装:编带
重量:0.034g
其他:
2SK209-GR(TE85L,F) 产品实物图片
2SK209-GR(TE85L,F) 一小时发货
描述:结型场效应管(JFET) 150mW 1.5V@100nA 50V N沟道 SC-59
库存数量
库存:
8426
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.462
3000+
0.432
产品参数
属性参数值
FET类型N沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)1.5V@100nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)50V
功率(Pd)150mW
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)14mA@10V
输入电容(Ciss@Vds)13pF@10V

产品概述:2SK209-GR(TE85L,F) N通道JFET

一、基本信息

2SK209-GR(TE85L,F) 是一款由东芝(Toshiba)生产的高性能 N 通道结型场效应管(JFET),其主要应用于模拟信号放大及开关电路。该器件采用 SC-59 表面贴装封装,设计紧凑,适合在空间受限的应用中使用。此产品具备优越的电气特性和工作稳定性,适应于各种电子设备的需求。

二、技术参数

  1. 频率:1 kHz
  2. 测试电压:10 V
  3. 测试电流:500 µA
  4. 噪声系数:1 dB
  5. 晶体管类型:N 通道 JFET
  6. 输入电容 (Ciss):最大值为 13 pF,在 10 V 下测试
  7. 连续漏极电流 (Id):在 25°C 下为 10 mA
  8. 功率耗散:最大值为 150 mW(TA)
  9. 工作温度范围:-55°C 至 125°C
  10. 器件封装:SC-59,符合 TO-236-3 和 SOT-23-3 标准

三、产品特点

  1. 高性能和低噪声:2SK209-GR 的噪声系数仅为 1 dB,使其在信号处理应用中保持高信号噪声比(SNR),非常适合音频设备和敏感传感器的前端放大。

  2. 宽工作温度范围:该器件在 -55°C 到 125°C 的工作温度范围内都能良好运行,确保在极端环境条件下的可靠性,适合工业、军事及航空航天应用。

  3. 高效率和功率兼容性:最大功率耗散可达到 150 mW,适合高密度电路的集成。然而,其额定的连续漏极电流为 10 mA,设计者可以根据需要优化电路的功率使用。

  4. 紧凑的封装设计:SC-59 的表面贴装封装设计,使得 2SK209-GR 在电路板布局中节省空间,非常适合现代电子产品的设计需求。

  5. 广泛的应用场景:得益于其出色的电气性能,2SK209-GR 在传感器前端放大、音频放大器、RF 放大器以及开关电路等多种应用中展现出优异的性能。

四、应用领域

  • 音频放大器:利用其低噪声特性,2SK209-GR 被广泛应用于音频设备中,提供高声质和清晰度。
  • 数据采集系统:适合用于需要高灵敏度的传感器信号处理,用于工业监控和测试仪器。
  • 射频(RF)应用:在RF前端放大和信号调制解调设备中,利用其优秀的增益特性来提升信号传输质量。
  • 便携式电子设备:得益于其小型封装,可以很容易地集成到各种便携式电子设备中,满足不同应用的需求。

五、结论

2SK209-GR(TE85L,F) 是一款功能齐全、性能优异的 N 通道 JFET,在现代电子应用中展现出卓越的可靠性和适用性。其低噪声和高效能特性使其成为音频、RF 和信号处理等多个领域的理想选择。设计工程师可以放心地将其集成到各种电路中,以满足高性能电子产品的要求。