型号：

IPD60R180P7SAUMA1

品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252-3(DPAK)
批次：21+
包装：编带
重量：-
其他：
-
IPD60R180P7SAUMA1 产品实物图片
IPD60R180P7SAUMA1 一小时发货
描述：场效应管(MOSFET) 72W 600V 18A 1个N沟道 TO-252-3
库存数量
库存：
1
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.37
100+
4.47
1250+
4.07
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）180 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）25nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1081pF @ 400V
功率耗散（最大值）72W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

产品概述：IPD60R180P7SAUMA1

基本信息

IPD60R180P7SAUMA1是一款高性能N通道MOSFET，由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，专为高电压和高电流应用而设计。其技术特点使其在各种电子设备中广泛应用，包括电源管理、马达驱动和高频开关等场合。该MOSFET的主要参数如下：

  • 漏源电压 (Vdss): 600V
  • 连续漏极电流 (Id): 18A (在25°C时，Tc)
  • 导通电阻 (Rds On): 最大180毫欧（@5.6A，10V）
  • 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大4V (@280µA)
  • 栅极电荷 (Qg): 最大25nC (@10V)
  • 输入电容 (Ciss): 最大1081pF (@400V)
  • 功率耗散: 最大72W (Tc)
  • 工作温度范围: -40°C至150°C
  • 封装类型: TO-252-3 (DPak)

技术优点

IPD60R180P7SAUMA1的设计结合了高效能和可靠性。其600V的额定电压使其能够处理高压应用，从而在家用电器、工业设备和电源转换模块等领域表现出色。该器件的导通电阻低至180毫欧，能有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。栅极电荷（Qg）达到25nC，意味着器件的开关速度快，能够支持更高的开关频率，这对高频操作尤其重要。

热管理与功率处理

在热管理方面，IPD60R180P7SAUMA1的功率耗散能力高达72W（Tc），使其在较高负荷下依然稳定运行。这一特性非常适用于需要长时间工作而不产生过多热量的集中系统，如电力转换器、逆变器等设备。该MOSFET的工作温度可在极端环境下达到了-40°C至150°C，使其适用于各种苛刻条件下的应用。

封装与安装

该MOSFET采用TO-252-3（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），有助于减小 PCB 空间占用，提高生产效率。这种封装的设计确保了良好的散热性能和电气连接可靠性，非常适合现代电子设备紧凑设计的需求。

应用场景

IPD60R180P7SAUMA1广泛应用于多种行业和产品中。例如：

  1. 电源管理：在开关电源、DC-DC转换器中，可以高效地进行电能转换，从而提供稳定可靠的电力输出。

  2. 马达驱动：在电动机控制系统中，利用其高电压和电流能力驱动高功率电动机，实现高效的动力输出。

  3. 照明设备：应用于LED驱动电源中，通过快速开关实现高效节能的照明方案。

  4. 自动化控制：在工业自动化领域，MOSFET用于驱动继电器和控制电磁阀，以实现自动控制与逻辑操作。

总结

IPD60R180P7SAUMA1是一款高效、可靠的N通道MOSFET，具有优越的电气性能和广泛的应用潜力。凭借高达600V的耐压、18A的连续电流能力以及低导通电阻特性，使其在多种工业和消费电子设备中发挥至关重要的作用，是现代电子设计中的理想选择。选择英飞凌的IPD60R180P7SAUMA1，不仅可以满足高性能需求，还能确保卓越的产品质量与长期可靠性。