型号:

DDTC115TCA-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DDTC115TCA-7-F 产品实物图片
DDTC115TCA-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存数量
库存:
2850
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.227
200+
0.147
1500+
0.128
3000+
0.113
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@5mA,5V
输入电阻100kΩ
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DDTC115TCA-7-F

1. 概述

DDTC115TCA-7-F 是由知名品牌 DIODES(美台)生产的一种 NPN 数字晶体管,采用 SOT-23 封装,广泛应用于各种电子电路设计中。作为一款高效能的晶体管,DDTC115TCA-7-F 具备优良的电流放大性能和响应速度,是现代数字和模拟电路中不可或缺的基础元件。

2. 核心参数

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压。这种类型的晶体管适合用于多种开关和放大应用。
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA。该特点使得晶体管能够在较高的电流下稳定工作,适合驱动各种负载。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V。高击穿电压使得晶体管在高电压应用中依旧能够保证稳定运行。
  • 基极电阻 (R1): 100 kOhms,这在一定程度上提高了电路的灵活性和稳定性。

3. 电流增益与饱和压降

  • DC 电流增益 (hFE): 在 1mA 的集电极电流下,电流增益最低为 100,使得其在低功率驱动的情境中表现出色。
  • 集电极饱和压降 (Vce(sat)): 在 100µA 下最大值为 300mV,表明在饱和状态下,晶体管将有效降低功耗,这对于新型低功耗电路尤为重要。

4. 其他电气特性

  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 500nA。该参数反映了器件的漏电流特性,在低功耗应用中,低漏电流可帮助提升整体电路的能效。
  • 跃迁频率: 高达 250MHz,保证了该元件在高频应用中的可靠性和稳定性。

5. 功率与封装

  • 最大功率: 200mW,适合用于日常电子设计中的小型功率应用。
  • 安装类型: 表面贴装型 (SMD),该封装类型使得 DDTC115TCA-7-F 易于集成到电路板设计中,有助于实现高密度布局。

6. 应用领域

DDTC115TCA-7-F 的广泛适用性使其成为许多应用中的理想选择,例如:

  • 开关电源: 可用于高效能的电源转换电路中,提升电源设计的稳定性和效率。
  • 信号放大器: 在无线通信、音频处理及其他信号处理应用中,能够提供充分的增益。
  • 开关应用: 由于其快速的开关响应能力,特别适合用于逻辑电路和LED驱动等场合。

7. 总结

作为一款功能强大的数字晶体管,DDTC115TCA-7-F 以其优越的电气性能和紧凑的封装设计,使其在当今电子设备中大放异彩。其高频响应、低功耗及较高的电流放大能力,使其非常适合用于各种现代电子设计中的核心组件。设计师们在进行电路设计时,选择 DDTC115TCA-7-F 将为其产品的性能提供坚实的基础,推动技术的创新与进步。