型号:

DDTA124EE-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT523
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DDTA124EE-7-F 产品实物图片
DDTA124EE-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-523
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.262
200+
0.17
1500+
0.147
3000+
0.13
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)56@5mA,5V

产品概述:DDTA124EE-7-F

DDTA124EE-7-F 是由知名制造商 Diodes Incorporated 提供的一款数字晶体管,属于 SOT-523 封装类型,广泛应用于各种电子电路中。作为一款PNP(正向偏置)类型的器件,DDTA124EE-7-F具备在特定条件下高效且可靠的性能表现,适合各种需要快速开关和信号放大的高频应用场景。

1. 基本参数

DDTA124EE-7-F 的主要电气特性如下:

  • 最大集电电流(Ic): 100mA,适合中等电流工作环境。
  • 最大集射极击穿电压(Vce): 50V,使其能在相对较高的电压水平下运行,增强了电路设计的灵活性。
  • 功率最大值: 150mW,适合大多数低功耗和中等功耗应用。

2. 性能特点

  • 高增益特性: 在给定条件下(5mA 电流和 5V 电压),DDTA124EE-7-F 的直流电流增益 (hFE) 最小值为 56,显示出良好的信号放大能力。
  • 低饱和压降: 在500µA和10mA总电流条件下,其最大Vce饱和压降仅为300mV,意味着在开启状态下,从集电极到射极的电压损耗非常小,这对于能效要求高的应用场景至关重要。
  • 低漏电流: 该器件的集电极截止电流最大值仅为500nA,低的漏电流为电路提供了更高的能效。

3. 应用场景

DDTA124EE-7-F 由于其优异的性能,不仅适用于传统的开关电路,还适合更为复杂的电子设备,如:

  • 信号放大: 在用于音频放大器和 RF 应用中,DDTA124EE-7-F 可以有效增强信号强度。
  • 开关电路: 可以作为开关来控制较大负载的功率流,从而使低功耗控制系统能够驱动更高功率的负载。
  • 电流控制: 在LED驱动、传感器接口及其他需要电流控制的应用中,DDTA124EE-7-F展现出灵活性和适应性。

4. 设计注意事项

在设计电路时,需要考虑以下几个因素以确保DDTA124EE-7-F 的最佳性能:

  • 适当的基极电阻: 在应用中使用22 kOhms的基极电阻(R1)和同样阻值的发射极电阻(R2)会显著影响晶体管的开关性能与信号完整性。
  • 散热考虑: 尽管其最大功率为150mW,但在高工作电流频率下,合理的散热设计能够保证晶体管的长期稳定性和可靠性。
  • 工作温度: 注意晶体管的工作温度范围,以避免因温度过高而导致的性能下降或损坏。

5. 封装与安装

DDTA124EE-7-F 以 SOT-523 表面贴装型封装提供,符合现代电子设备对小型化与集成度的要求。这种封装允许高密度布线的PCB设计,同时也便于自动化生产的贴装过程。

总结

综上所述,DDTA124EE-7-F 是一款性能优异、应用广泛的PNP数字晶体管,具有高增益、低饱和压降和小型化设计等特点,适应当今电子设备日益增长的需求。无论是在开关控制还是信号放大方面,DDTA124EE-7-F 都展现出良好的应用潜力,适合众多现代电子设计的各种需求。