型号:

MMSTA56Q-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MMSTA56Q-7-F 产品实物图片
MMSTA56Q-7-F 一小时发货
描述:普通双极型晶体管(BJT)
库存数量
库存:
1695
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.451
200+
0.29
1500+
0.253
3000+
0.224
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 100mA,1V
功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁50MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

MMSTA56Q-7-F 产品概述

MMSTA56Q-7-F 是一款高性能的 PNP 类型普通双极型晶体管(BJT),由 DIODES(美台) 供应,采用 SOT-323 封装,专为面向表面贴装类型的应用而设计。该元器件具有卓越的电流和电压特性,适合各种电子电路和系统中的信号放大与开关应用。下面将从多个方面详细介绍该产品的特点及应用场景。

1. 基本参数

MMSTA56Q-7-F 的主要电气特性包括:

  • 集电极电流 (Ic):最大值为 500mA,这使其能够在多种负载条件下稳定工作,适应不同的使用需求。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为 80V,保证在高电压环境下也能安全运行,适用于直流和交流信号的处理。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 10mA 和 100mA 电流下,最大饱和压降为 250mV,显示出优秀的电流传输效率,能够有效减少功率损耗。
  • 截止电流 (Ic(off)):最大值为 100nA,这一特性确保在关闭状态下的电流损耗极低,适合功耗敏感的应用。
  • 静态电流增益 (hFE):在 100mA 和 1V 的条件下,最小值达到 100,使得该晶体管在放大应用中表现出色。

2. 功率与频率特性

  • 功率损耗:该晶体管的最大功率为 200mW,允许其在合理的功耗范围内工作,适合用于需要高功率密度的应用场所。
  • 频率响应:该器件的跃迁频率为 50MHz,展现出优秀的高频性能,使其能够胜任高频开关和放大器应用。

3. 工作环境及温度范围

MMSTA56Q-7-F 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,这使得它在极端温度条件下仍能够稳定工作,适用于汽车电子、工业控制以及恶劣环境下的应用。

4. 封装与安装

该晶体管采用 SOT-323 封装,属于表面贴装型器件,具有小巧、轻便的特性,适合空间有限的现代电子设备。SOT-323 封装使得集成密度较高,适合大规模生产和自动化贴装过程。

5. 应用场景

MMSTA56Q-7-F 可广泛应用于以下领域:

  • 信号放大器:适用于音频和视频信号的放大,能够有效提高信号强度。
  • 开关电路:可用于开关控制和逻辑电路,适合用于驱动继电器和小型马达。
  • 无线通信:由于其高频特性,该器件非常适合用于无线信号处理和射频电路。
  • 自动化设备:在自动化控制系统中,MMSTA56Q-7-F 可作为传感器和执行机构的接口,完成各种自动控制功能。

6. 总结

作为一款多用途的 PNP 晶体管,MMSTA56Q-7-F 凭借其优良的电气性能和广泛的应用适应性,成为现代电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子、汽车电子,还是在工业自动化领域,该器件均能提供可靠的性能支持。DIODES(美台) 的良好品牌声誉和品质保证,使得 MMSTA56Q-7-F 在市场中具有竞争力,是设计师和制造商在选择高性能晶体管时的优选之一。