型号:

DCX114TU-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:2年内
包装:编带
重量:0.015g
其他:
DCX114TU-7-F 产品实物图片
DCX114TU-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存数量
库存:
3000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.192
3000+
0.17
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1mA,5V

DCX114TU-7-F 产品概述

一、产品概述

DCX114TU-7-F 是一款高度集成的数字晶体管,由知名品牌 DIODES(美台)制造,采用SOT-363封装。该元件结合了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,并配备有预偏压功能,专为需要高效开关和放大功能的电子应用而设计。凭借其优异的电气性能,如高电流增益、低饱和压降及宽工作频率范围,DCX114TU-7-F 是众多电子电路设计中不可或缺的基本元件。

二、主要参数

  1. 电流承载能力

    • 集电极电流(Ic)的最大值为100mA,能够在大多数低电流开关应用中实现有效的控制。
  2. 耐压性能

    • 集射极击穿电压(Vce)最大为50V,使得该产品适用于需要一定电压耐受能力的电路设计。
  3. 增益特性

    • 在不同集电极电流(Ic)和电压(Vce)下,直流电流增益(hFE)的最小值为100 @ 1mA,5V, من可能面临的不同运行条件提供了良好的性能保证。
  4. 饱和压降

    • 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流条件下,Vce 的饱和压降最大为300mV @ 100µA,1mA,意味着在低功耗条件下仍能保持出色的开关性能。
  5. 工作频率

    • 跃迁频率高达250MHz,充分满足高频应用的需求,适合于高速开关电路及高频信号处理。
  6. 功耗

    • 最大功率为200mW,保证在较高的输出电流和电压条件下,能够有效散热,防止过热保护。

三、适用场景

DCX114TU-7-F 适用于多种电子应用,包括但不限于:

  • 数码电路:适用于逻辑电平转换,信号放大及切换等应用。
  • 开关电源:可用于开关电源电路中,提升效率和减少能量损耗。
  • 音频电路:能够在音频信号处理器中进行信号放大,实现优质音频效果。
  • RF 应用:高频性能使其适合在无线电频率应用中使用,如 RF 开关、调制和解调电路等。

四、封装与安装

该产品采用表面贴装型设计,即 SOT-363 封装,适合于现代电子设备中紧凑的空间限制,具有小尺寸和轻量化的特点,方便自动化组装,有效提升生产效率。

五、总结

DCX114TU-7-F 是一款功能强大、性能优异的数字晶体管,结合了 NPN 和 PNP 的设计,能够满足多样化的电子应用需求。凭借其高增益、低饱和压降以及宽频特性,该元件在各类电子设计中表现出色,是电子工程师在设计时的重要选择。通过对该产品的深入了解,设计者可以利用其优越性能,开发出更加高效、稳定和创新的电子产品。