STU5N95K3

STU5N95K3 产品概述

概述

STU5N95K3 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，其具有卓越的电气特性和应用灵活性，专门设计用于高压场合和开关电源设计。该器件不仅满足工业标准的需求，同时也适应各种高温和恶劣环境，是电源管理、逆变器和功率传输系统中理想的选择。

基本参数

STU5N95K3 的关键技术参数如下：

• 漏源电压 (Vds)： 950V
• 连续漏极电流 (Id)： 4A（在极限工作条件下）
• 最大 Rds(on)： 3.5Ω @ 2A，10V
• 开启电压 (Vgs(th))： 最大值 5V @ 100µA
• 栅极电荷 (Qg)： 最大值 19nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss)： 最大值 460pF @ 25V
• 功率耗散 (Pmax)： 90W（Tc）
• 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
• 封装类型： TO-251-3 (I-PAK)

性能特征

STU5N95K3 的设计具备高压和高效能的特点，使其在多种应用中都能够表现出色。高达 950V 的漏源电压能力使其能够在高电压环境下稳定工作，而 4A 的额定连续漏极电流则足以支持大多数高能耗应用场景。

该MOSFET的导通电阻 Rds(on) 为3.5Ω，这使其在导通状态下消耗的功率更低，提升整体效率。此外，Vgs 的最大值为±30V，体现了该器件在不同栅极驱动条件下的良好适应能力。

应用场景

STU5N95K3 的多种特性使其适合各种行业和领域的应用。以下是典型应用场景：

1. 电源管理：作为开关电源中的开关元件，支持大功率转换，提高整体能效。
2. 逆变器：在太阳能发电、UPS（不间断电源）系统中，用作逆变器的功率开关。
3. 马达驱动：在电动机驱动系统中，能够有效控制电机的启停和速度。
4. 高压设备：适用于高压电源或变频器等设备内部的开关操作。

可靠性与耐用性

STU5N95K3 的最大功率耗散能力为90W，这意味着该器件可以承载较高的功率而不会导致过热。此外，工作温度范围覆盖了 -55°C 到 150°C，这一广泛的工作温度范围为设备在极端环境下的应用提供了保障，使其在航空航天、汽车电子以及工业控制等领域的使用变得更加可靠。

封装设计

STU5N95K3 采用 TO-251-3 (I-PAK) 封装，具有短引线设计，适合通孔安装。这种封装不仅有助于散热，还可以简化电路设计，为PCB布局提供更多的灵活性和空间。

结论

总之，STU5N95K3 是一款高效，性能可靠的 N 通道MOSFET，集成了高耐压与良好的温度适应性，广泛应用于多种高压开关电源系统。无论是在电源转换还是在高电流应用中，它都能够为设计工程师提供极大的灵活性和可靠性，是当今电子设计领域的优选器件。