型号:

DMP31D7LDW-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMP31D7LDW-13 产品实物图片
DMP31D7LDW-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.6V@250uA 900mΩ@420mA,10V 550mA 2个P沟道 SOT-363
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.478
100+
0.33
500+
0.299
2500+
0.278
5000+
0.26
产品参数
属性参数值
类型2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)550mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V,0.42A
功率(Pd)290mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)800pC@10V
输入电容(Ciss@Vds)19pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)3pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMP31D7LDW-13 产品概述

产品简介

DMP31D7LDW-13 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能双 P 沟道场效应管(MOSFET),专门为低电压应用设计。该器件具有优良的导通特性和较低的导通电阻,使其非常适合于各种电子设备中的功率管理、开关电源和其他需要高效能的应用场景。其表面贴装的设计,便于在现代电子设备中实现空间优化和低成本生产。

关键参数

  • FET 类型:双 P 沟道
  • 功能:标准
  • 25°C 时连续漏极电流 (Id):550 mA
  • 导通电阻 (Rds(on)):最大值 900 mΩ @ 420 mA,10V
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值 2.6V @ 250 µA
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 封装类型:SOT-363, SC-88,6-TSSOP
  • 安装方式:表面贴装型

性能特点

DMP31D7LDW-13 的 P 沟道结构使其在许多电源开关和其他控制电路中能够以较低的功耗和热损耗运行。在不同的 Id 和 Vgs 条件下,该器件展示出非常理想的导通电阻特性,特别是在高达420 mA的电流下,导通电阻控制在900毫欧,这直接影响到系统的能效与热管理性能。此外,其阈值电压为 2.6V,可确保在更低的控制电压下驱动,从而扩大了其应用范围,适应多种控制信号的要求。

工作环境适应性

DMP31D7LDW-13 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其在极端环境下也能稳定工作,符合汽车、工业及消费电子等多种应用的需求。这种高可靠性的特性,尤其适用于需要严苛温度管理的应用场合,例如汽车电子、航天和军工等领域。

应用领域

DMP31D7LDW-13 适用于多种场合包括,但不限于:

  1. 电源管理电路:该MOSFET 可用于电源开关、DC-DC 转换器等场合。
  2. 高效率开关电源:出色的导通电阻和高抗压性的特性,使其成为开关电源设计的理想选择。
  3. 负载开关:在负载管理中,可用于开关控制和电源切换。
  4. 汽车电子:由于其宽泛的工作温度和稳定性,该器件可满足各种汽车应用的需求。
  5. 工业控制:在自动化设备中,DMP31D7LDW-13 可用作负载驱动和控制开关。

结论

总之,DMP31D7LDW-13 是一款高性能的双 P 沟道场效应管,以其优良的导通特性和宽广的工作温度范围,在现代电子设计中展现了极大的应用潜力。无论是在消费电子产品,还是在复杂的工业和汽车电子环境中,它都能提供出色的性能和可靠性,是各类开发者和设计工程师的优秀选择。