型号:

EMB4T2R

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT6
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
EMB4T2R 产品实物图片
EMB4T2R 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置 SOT-563(SOT-666)
库存数量
库存:
8000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.313
500+
0.209
4000+
0.182
产品参数
属性参数值
晶体管类型2个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1mA,5V

EMB4T2R 产品概述

1. 产品简介

EMB4T2R是一款高性能的数字晶体管,具有双PNP结构,专为低功耗和高频应用而设计。该产品由日本知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产,封装形式为SOT-563和SOT-666,使其非常适合表面贴装应用。EMB4T2R的主要优势在于其预偏压特性、高集电极电流和电压处理能力,这使得它在多种电子电路中扮演关键角色。

2. 关键参数

  • 晶体管类型: EMB4T2R采用双PNP预偏压式设计,允许更低的输入电流驱动,适用于较低的开关频率。
  • 电流 - 集电极(Ic): 最大可达100mA,适合多种驱动电路需求。
  • 电压 - 集射极击穿: 最大50V,提供良好的耐压能力。
  • DC电流增益(hFE): 最小值为100,且在1mA和5V条件下表现良好,确保能够在不同负载条件下有效放大信号。
  • Vce饱和压降: 在1mA和10mA时,最大饱和压降为300mV,意味着在导通状态下能量损耗较小,有助于提升电路效率。
  • 频率 - 跃迁: 该器件具有250MHz的跃迁频率,支持高速数字信号处理。
  • 功率 - 最大值: 150mW,适合大多数小功率应用的需求。
  • 安装类型: 表面贴装型设计便于自动化贴装,适应现代电子制造线。
  • 封装/外壳: SOT-563和SOT-666,符合Compact和Light的设计理念,节省电路板空间。

3. 应用场景

EMB4T2R广泛应用于多个领域,特别是在消费电子、工业控制和通信设备中。其高频响应能力和低功耗特性,使其理想用于:

  • 开关电源: 可以用作高效的信号放大器,提升开关电源的响应速度和稳定性。
  • RF应用: 由于其250MHz的跃迁频率,适合用于无线通信设备中的信号放大和调制解调。
  • 音频放大器: 在音频设备中,EMB4T2R能够有效放大信号,提供高质量的音频输出。
  • 微控制器接口: 可用于微控制器与其他外部传感器或执行器之间的接口电路。

4. 设计注意事项

在设计中使用EMB4T2R时,需要考虑以下几个方面:

  • 热管理: 由于该器件在高功率下工作,其热量管理是设计中需要重点关注的部分。建议根据实际应用合理设计散热方案,确保器件在规定温度范围内正常工作。
  • 输入信号规格: 基极电流(Ib)应控制在合理范围,以避免影响增益特性和工作稳定性。
  • PCB布局: 由于其表面贴装特性,PCB布局设计需确保良好的电气连接与空间优化,避免电磁干扰(EMI)问题。

5. 结论

总的来说,EMB4T2R作为一款性能卓越的数字晶体管,其出色的电流增益、高频率响应以及适应多种应用的多样性,成为设计师在选用功率源、开关电源和信号放大电路时的重要选择。随着电子产品对性能需求的持续提升,EMB4T2R无疑将在未来的电子市场中发挥越来越重要的作用。