型号:

D3V3S1B2LP-7B

品牌:DIODES(美台)
封装:DFN1006-2
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
D3V3S1B2LP-7B 产品实物图片
D3V3S1B2LP-7B 一小时发货
描述:TVS二极管
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.663
100+
0.458
500+
0.416
2500+
0.385
5000+
0.359
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
最大钳位电压9.5V
峰值脉冲电流(Ipp)50A
击穿电压3.8V
反向漏电流(Ir)10nA
通道数单路

D3V3S1B2LP-7B 产品概述

D3V3S1B2LP-7B是一款高性能的双向齐纳瞬态抑制二极管(TVS二极管),专为电路中的过电压保护而设计。作为美台(DIODES)品牌的产品之一,该二极管在射频通讯、工业控制、消费电子及汽车电子等多种应用场合,提供了可靠的电源保护方案。

关键特性

  1. 反向断态电压: 此款TVS二极管的典型反向断态电压为3.3V,其最大值也设定于3.3V。这意味着在正常操作下,器件能够承受的最高电压不会超过这一限度,确保电路的安全和稳定。

  2. 击穿电压: D3V3S1B2LP-7B的最小击穿电压为3.8V,这为电路提供了必要的保护阈值。当电压达到此值时,器件会迅速进入导电状态,抑制过电压的影响。

  3. 电压箝位: 针对不同的脉冲电流(Ipp),该器件可提供最大9.5V的电压箝位,有效保护后级电路不受瞬态电压冲击。

  4. 峰值脉冲电流能力: D3V3S1B2LP-7B能够承受高达50A的峰值脉冲电流(在8/20µs脉宽的情况下),确保在瞬态过电压事件发生时具备极强的抗干扰能力。

  5. 功率处理能力: 该产品的峰值脉冲功率可达410W,进一步保障了电路在极端情况下的安全性。

  6. 频率响应: D3V3S1B2LP-7B在工作频率为1MHz的情况下具有118pF的电容特性,这一参数使得它在高频应用中也能有效运作,降低信号失真。

  7. 温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C(TJ),适应多种苛刻环境下的使用需求,适合高温和低温的应用场合。

  8. 封装与安装类型: D3V3S1B2LP-7B采用0402(1006公制)DFN封装,表面贴装(SMD)设计使其在PCB上占用空间小,适合高密度电路板的使用。

应用场景

D3V3S1B2LP-7B的应用广泛,它适用于多种电子设备和系统中,尤其是在需要强大瞬态电压抑制的场合。非常适合以下应用:

  • 消费电子产品: 提高智能手机、平板电脑和家电等设备的耐压能力,保护组件免受外部电压冲击。
  • 工业设备: 保护控制系统中的敏感电子元件,确保其稳健性和耐用性。
  • 车载电子: 在汽车电子系统中,提供过电压保护,提升系统的整体安全性。
  • 通信设备: 在各种通讯相关设备中,保障信号的稳定传输及设备的整体功能完整性。

总结

D3V3S1B2LP-7B作为一款高效的TVS二极管,其可靠性、稳健性及广泛的应用前景使其成为电路设计中的重要组成部分。选择D3V3S1B2LP-7B不但能够提高电子设备的抗压能力,也能有效延长设备的使用寿命,确保在各种操作条件下依然表现优异。如果您正在寻找一款性能卓越、设计灵活、可靠性极高的瞬态电压抑制器件,D3V3S1B2LP-7B绝对是一个理想的选择。