型号:

MMDT5401Q-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
MMDT5401Q-7-F 产品实物图片
MMDT5401Q-7-F 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 150V 200mA PNP SOT-363
库存数量
库存:
2925
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.563
200+
0.389
1500+
0.353
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)150V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@10mA,5V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@5mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

MMDT5401Q-7-F 产品概述

产品简介

MMDT5401Q-7-F是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),专为高频信号处理、开关电路和音频放大等应用而设计。该器件的最大集电极电流(Ic)可达200mA,具有150V的高集射极击穿电压,使其在高电压场合下的可靠性和安全性得以充分保证。这款晶体管采用了SOT-363封装,是表面贴装型(SMD)设计,便于在现代紧凑型电子设备中集成。

主要特点

  1. 高电流和高电压能力:MMDT5401Q-7-F的最大集电极电流为200mA和高达150V的集射极击穿电压,使其能够在多种高电流和高电压的应用中安全运行。

  2. 低饱和压降:在设计中的重负载和快速开关条件下,该器件的饱和压降(Vce(sat))低至500mV(在5mA和50mA的特定负载条件下),这对于高效能的小型电路设计至关重要,能够有效降低能量损耗并提高系统效率。

  3. 极低的集电极电流截止(ICBO): MMDT5401Q-7-F的最大集电极截止电流仅为50nA,表明其在关闭状态下的优良性能。低截流特性有助于提高电路的稳定性与耐用性。

  4. 优秀的增益特性:在Ic为10mA和Vce为5V的条件下,设备的直流电流增益(hFE)可达到60,提供良好的信号放大能力,对于音频和射频信号的处理尤为适宜。

  5. 高频性能:MMDT5401Q-7-F的频率跃迁能力高达300MHz,适用于高级信号处理、无线通信和数字电路等快节奏应用,能够满足现代电子设备在大带宽应用中的需求。

  6. 广泛的工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,确保在极端温度条件下的稳定工作,使其适用于各种恶劣环境下的工业、汽车和航空等领域。

应用场景

MMDT5401Q-7-F适用于多个领域,包括但不限于:

  • 音频放大器:在音频设备中的信号放大,确保清晰、高保真的声音输出。
  • 开关电路:作为开关元件,用于控制较大电流回路的开关操作,例如在电源管理和自动控制系统中。
  • 高频信号处理:适用于无线通信系统和射频(RF)电路的信号放大和调制解调等应用。
  • 汽车电子:在电动车辆和汽车配件中作为信号放大和自动控制的核心元件。
  • 工业控制:用于传感器信号处理和控制系统中的反馈电路。

封装信息

MMDT5401Q-7-F采用SOT-363封装,该表面贴装型设计使其在空间受限的电路板中实现高效安装,符合现代电子设备对小型化与高集成度的需求。封装的高可靠性和良品率,使其成为业界信赖的选择。

总结

MMDT5401Q-7-F是一款集高性能、高可靠性和多功能于一体的PNP双极性晶体管,适用于广泛的电子应用。其卓越的电气性能和理想的工作温度范围使其在各种温度和环境条件下表现优异,是设计师和工程师在高电压和高电流要求场合的理想选择。无论是在音频、开关电路还是高频信号处理系统中,MMDT5401Q-7-F皆能提供稳定可靠的性能。