型号:

DSS5220T-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
DSS5220T-13 产品实物图片
DSS5220T-13 一小时发货
描述:普通双极型晶体管(BJT)
库存数量
库存:
4830
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.745
100+
0.513
500+
0.467
2500+
0.433
5000+
0.405
10000+
0.371
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)1.2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1A,2V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)50uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@1A,50mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DSS5220T-13

一、产品简介

DSS5220T-13是一款高性能的PNP型普通双极型晶体管(BJT),由知名品牌DIODES(美台)生产。该元件采用SOT-23封装,具有良好的热性能和稳定的电气特性,适用于各种商业和工业应用。这款晶体管凭借其优越的电流特性和较广的工作温度范围,广泛应用于信号放大、电流开关以及其他需要高增益和快速响应的电路中。

二、基本参数

  1. 晶体管类型:PNP
  2. 最大集电极电流 (Ic):2A
  3. 集射极击穿电压 (Vce):20V
  4. Vce饱和压降:250mV(@ 100mA, 2A)
  5. 集电极截止电流 (ICBO):100nA(最大值)
  6. 直流电流增益 (hFE):225(@ 500mA, 2V,最小值)
  7. 最大功率:1.2W
  8. 频率响应:高达100MHz
  9. 工作温度范围:-55°C至150°C
  10. 安装类型:表面贴装型
  11. 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
  12. 供应商器件封装:SOT-23

三、电气特性

DSS5220T-13以其较高的电流增益(最小225 @ 500mA, 2V)和低饱和压降(250mV @ 100mA, 2A)在电流控制和信号放大应用中表现优异。其集电极电流(Ic)的最大值为2A,使得该晶体管能够控制较大的负载,适用于功率放大和开关电源等场合。同时,集射极击穿电压最高可达20V,确保其在中等电压应用中的稳定性。

在静态工作状态下,截止电流(ICBO)低至100nA,表明该器件具有出色的能效性能,使其适合用于便携式设备等能量敏感型应用。此晶体管在高频应用中也表现突出,其频率跃迁高达100MHz,适用于射频放大和调制解调器等应用。

四、应用场景

  • 信号放大器:DSS5220T-13的高电流增益特性使其成为高保真音频和视频信号放大器中的理想选择。它能够有效放大微弱信号,改善系统的信号-to-噪声比。

  • 开关电路:凭借其2A的集电极电流能力,DSS5220T-13可用于各种开关电源和驱动电路,支持高功率负载的控制。

  • 高频应用:由于其高频响应的特性,该晶体管用于无线通信设备、调制解调器和数字信号处理器中,可以有效提高信号处理的效率。

  • 工业控制:适合于工业设备中的控制系统,DSS5220T-13在宽温范围(-55°C至150°C)内运行稳定,确保设备在极端环境下的可靠性。

五、总结

DSS5220T-13是性能卓越的PNP型双极型晶体管,凭借其高电流和频率特性,适合许多领域的设计需求。无论是在电子消费品、生物医药、工业自动化,还是汽车电子中,其强大的性能都能助力实现优异的系统设计,是工程师在选择电子元器件时的理想选择。通过使用DSS5220T-13,设计师能够提升产品的性能和功能,同时优化能耗表现,降低系统成本。