描述：场效应管(MOSFET) 780mW 20V 3.1A 1个P沟道 SOT-23
库存数量
库存：
301
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.385
3000+
0.36
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@4.5V,3.5A
功率(Pd)780mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.25V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)303pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
DMP2170U-7 产品概述
1. 引言
DMP2170U-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专门设计用于低压应用，能够在多种电子电路中提供高效的开关和功率处理能力。该器件的主要参数包括漏源电压（Vdss）20V，连续漏极电流（Id）3.1A，以及最大的功率耗散780mW，适合于在要求高可靠性与稳定性的环境中使用。
2. 基本参数
- 类型: P 通道
- 技术: 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id, 25°C): 3.1A
- 驱动电压:
- 最大 Rds(on): 4.5V
- 最小 Rds(on): 2.5V
- 导通电阻 (Rds(on)): 90毫欧 @(3.5A, 4.5V)
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 1.25V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 7.8nC @ 10V
- 最大栅源电压 (Vgs): ±12V
- 输入电容 (Ciss): 303pF @ 10V
- 功率耗散 (Pd): 780mW (Ta)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装: SOT-23 (TO-236-3/SC-59/SOT-23-3)
3. 产品特点
DMP2170U-7 的设计旨在满足现代电力电子的要求，其最显著特点包括：
低导通电阻: 除了有效降低功率损耗，90毫欧的导通电阻使其在高负载条件下表现优异。低 Rds(on) 使得该器件能够在不发热的情况下承载较大的电流，延长组件的使用寿命。
宽工作温度范围: 该元件能够在 -55°C 到 150°C 的极端条件下正常工作，使其适用于各种环境，包括工业、汽车及消费电子产品。
小型化封装: SOT-23 表面贴装型封装确保了 DMP2170U-7 的体积小巧，非常适合空间有限的应用。
4. 应用领域
DMP2170U-7 适合广泛的应用场景，例如：
开关电源: 在开关电源中，该 MOSFET 可以作为开关元件使用，实现高效的电能转换。
电池管理系统: 该器件有助于提高电池充放电的效率，使其在电动汽车和便携式设备中的应用愈加广泛。
马达驱动: 通过控制电动机的开关，DMP2170U-7 可以帮助在电机控制系统中实现更精确的功率管理。
负载开关: 可以用于控制大的负载设备，如 LED 灯具或其他高功率设备，实现智能电源管理。
5. 结论
DMP2170U-7 是一款具有高效、耐用和稳定性能的 P 通道 MOSFET，旨在满足现代电子产品对高可靠性和高性能的需求。无论是在开关电源、马达控制还是智能负载开关中，它都能发挥出色的性能。选择 DMP2170U-7，将为您的设计带来更高效、更可靠的解决方案。