描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 20V 3.7A 1个P沟道 TSOT-26
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.703
100+
0.485
500+
0.441
2500+
0.408
5000+
0.382
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)110mΩ@2.5V,2.0A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)450mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)443pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)47pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
DMP2109UVT-13 产品概述
一、产品基本信息
DMP2109UVT-13是一款高性能的P型MOSFET，专为低功耗应用而设计，适用于电源管理、负载开关和其他需要高效切换的电路。该器件由知名半导体制造商DIODES（美台）提供，并采用细型TSOT-26封装，便于在空间有限的应用中使用。
二、技术规格
- FET类型: P沟道
- 技术: MOSFET（场效应晶体管）使用金属氧化物技术
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id, 25°C）: 3.7A
- 驱动电压: Rds On在2.5V和4.5V时分别为最大值
- 导通电阻（Rds On）: 在4.5V时，@ 2.8A下最大导通电阻为80毫欧
- Vgs(th)（阈值电压）: 最大值为1V（@ 250µA），显示出较低的开关门槛
- 栅极电荷（Qg）: 在4.5V下最大栅极电荷为6nC
- 工作Vgs范围: ±10V
- 输入电容（Ciss）: 最大值为443pF（@ 10V）
- 功率耗散: 最大值为1.2W（Ta）
- 工作温度范围: -55°C到150°C（TJ）
- 封装类型: TSOT-26（SOT-23-6细型）
三、产品特点
高效率: DMP2109UVT-13具有低导通电阻的特性，这在高频切换应用中可以显著降低功耗，提高整体系统效率。
宽工作温度范围: 器件能在严苛环境下稳定工作，适应-55°C到150°C的广泛温度范围，使其适合于各种工业和汽车应用。
细型封装: TSOT-26封装的设计使得DMP2109UVT-13在PCB上的占用空间小，满足现代电子产品对小型化和轻量化的需求。
简单驱动特性: 该MOSFET在较低的栅极驱动电压下便可达到有效导通，适合与较小的微控制器或数字电路兼容。
适用多种应用场景: 由于其高效能和宽阈值电压范围，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、功率放大器以及汽车及工业自动化等多种应用。
四、应用领域
DMP2109UVT-13适用于各类电子设备，主要包括但不限于：
- 电源管理电路: 在开关电源、稳压电源中用作开关元件，调节电流和电压的输出。
- 负载开关: 可以在各类电器的电源开关中用于实现低功耗待机和高效能切换。
- 小型化设备: 由于其紧凑的封装、低导通电阻和广温度范围，适合于手机、平板电脑等便携设备中的应用。
- 汽车电子: 在汽车电路中用作高效开关，增强电源智能管理。
五、总结
总之，DMP2109UVT-13是一款具有高性能、广泛应用潜力的P沟道MOSFET器件。凭借其优越的电气特性和能够在严酷环境下稳定工作的能力，DMP2109UVT-13能够满足现代电子设计对高效、可靠的元器件的需求。对于设计工程师而言，这款器件无疑是实现高效能电路设计的理想选择。