型号:

MMDT3904VC-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT563
批次:24+
包装:编带
重量:0.012g
其他:
MMDT3904VC-7 产品实物图片
MMDT3904VC-7 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN SOT-563
库存数量
库存:
1773
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.819
200+
0.631
1500+
0.548
3000+
0.51
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1V
特征频率(fT)300MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

MMDT3904VC-7 产品概述

产品简介

MMDT3904VC-7 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 NPN 型双晶体管,封装为 SOT-563,旨在为各种电子电路提供稳定的放大和开关功能。该器件具有广泛的应用潜力,尤其适合于高频电路和低功耗信号处理等场景。

基本参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 产品类型: NPN 双晶体管
  • 封装形式: SOT-563
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 电流 - 集电极 (Ic) (最大值): 200mA
  • 电压 - 集射极击穿 (最大值): 40V
  • 功率最大值: 200mW
  • 跃迁频率: 300MHz
  • DC 电流增益 (hFE) (最小值): 100 @ 10mA,1V
  • 饱和电压 (Vce) (最大值): 300mV @ 5mA,50mA

关键特性

  1. 高电流和电压承受能力: MMDT3904VC-7 能够承受高达 200mA 的集电极电流和 40V 的集射极击穿电压,使其可以在多种电气条件下稳定工作。

  2. 低饱和压降: 在工作电流为 5mA 和 50mA 时,最大 Vce 饱和压降仅为 300mV,这使得在开关应用中具有较高的能效,减少了功耗。

  3. 优秀的频率响应: 具备高达 300MHz 的跃迁频率,使得此三极管适用于高频应用,例如 RF 信号处理和高速度开关电路。

  4. 可靠性: MMDT3904VC-7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,符合恶劣环境下的工作要求,适合于工业和军事等高可靠性需求的应用。

  5. 小型化设计: SOT-563 封装使得其占用空间小,适合于需要紧凑设计的电子设备,尤其在手机、便携式设备和精密仪器中得以广泛应用。

应用场景

MMDT3904VC-7 的广泛应用包括:

  • 信号放大器: 在音频和视频放大电路中,起到信号放大的作用。

  • 开关电路: 用于驱动负载、控制电流或在低功耗场合中切换状态。

  • 射频应用: 在无线电频率信号处理中,凭借其高频特性,适用于 RF 工程设计。

  • 调制解调器: 在数据通讯领域,既可以用于信号的调制,也可以用于解调。

  • 功率管理: 在电源管理应用中,用于电源开关和电流控制。

结论

MMDT3904VC-7 是一款功能强大、性能优异的 NPN 型双晶体管,凭借其高电流、电压承载能力,低饱和电压和极高的频率响应,使其在各种工程应用中成为首选器件。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,该器件都能带来卓越的性能和可靠性。对于追求高效率和小型化设计的应用,MMDT3904VC-7 更是提供了理想的解决方案。