描述：瞬态抑制二极管
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.899
200+
0.693
1500+
0.602
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)60V
最大钳位电压125V
峰值脉冲电流(Ipp)2A@8/20us
击穿电压65V
类型TVS
D60V0L4B10LP-7 产品概述
基本信息
D60V0L4B10LP-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款瞬态抑制二极管（TVS），属于齐纳二极管类型，具有优异的电压钳位特性，广泛应用于保护电子设备免受电压瞬变的损害。该元件采用表面贴装（SMD）技术，封装设计为 UDFN2510-10。
主要参数
- 制造商: Diodes Incorporated
- 零件状态: 有源
- 类型: 齐纳
- 反向断态电压: 典型值为 60V
- 击穿电压: 最小值65V，确保安全运行时不会发生过载
- 电压钳位（不同 Ipp）: 最大值为 125V，在突发电流情况（如雷电和静电放电）下提供有效保护
- 峰值脉冲电流 (10/1000µs): 2A（8/20µs），适用于高频和强信号应用
- 电源线路保护: 无，适合有特定电源条件的电路
- 应用领域: 通用，适用于多种电路保护需求
- 电容（不同频率）: 10pF @ 1MHz，为高速电路提供高标准的信号完整性
- 工作温度范围: -40°C 到 125°C，适应恶劣环境
- 安装类型: 表面贴装型，便于自动化生产和小型化设计
应用领域
D60V0L4B10LP-7 瞬态抑制二极管非常适合应用于通信设备、消费电子、工业控制、汽车电子和其他需要保护电路避免过电压的设备。它能够有效抑制由于雷电、静电放电（ESD）等因素导致的电压尖峰，从而延长电子设备的使用寿命和提高其可靠性。
性能特点
该瞬态抑制二极管的高击穿电压和快速响应特性，使其在处理快速瞬态事件时具备较强的能力。其优良的电容特性（10pF @ 1MHz）保证了高频信号通过时的信号完整性，适用范围广泛。
D60V0L4B10LP-7 的设计满足了现代电子产品对小型化、自动化和高可靠性的需求。其UDFN2510-10封装的设计，具有减小占用空间的优势，适用于高密度的电子产品板设计。同时，-40°C 至 125°C 的工作温度范围也使其适用于各种严苛的工作条件，包括高温和低温环境。
结论
D60V0L4B10LP-7 是一款高性能的瞬态抑制二极管，集成了多种先进特性，能够满足现代电子设备在电压保护方面的严苛需求。其广泛的应用前景、优异的电压钳位特性以及紧凑的封装使其成为电子设计工程师的重要选择。无论是用于新产品开发，还是在现有设备中进行升级，D60V0L4B10LP-7 都能够有效保护电路，提升产品的可靠性和市场竞争力。