型号:

DTA023EEBTL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT3F(SOT-416FL)
批次:22+
包装:编带
重量:1g
其他:
DTA023EEBTL 产品实物图片
DTA023EEBTL 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-416
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.581
200+
0.193
1500+
0.121
3000+
0.0961
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)20@20mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2.6V@5mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)100mV@10mA,1mA
输入电阻2.2kΩ
电阻比率1
工作温度-40℃~+150℃

DTA023EEBTL 产品概述

产品名称: DTA023EEBTL
品牌: ROHM (罗姆)
封装类型: EMT3F (SOT-416FL)
安装方式: 表面贴装型 (SMD)
产品类别: 数字晶体管 (PNP - 预偏置)

1. 产品简介

DTA023EEBTL 是一款高效能的PNP数字晶体管,专为各种电子设备提供可靠的电流放大和开关功能。作为ROHM公司推出的表面贴装型元件,该晶体管具有极小的封装尺寸(EMT3F,SOT-416FL),使其在需要节省空间的应用中特别受欢迎。DTA023EEBTL的设计兼顾了高性能与功耗优化,最大功率可达150mW,集电极电流(Ic)最大值为100mA,适合针对低功耗数字电路的需求。

2. 关键参数

  • 电流 - 集电极 (Ic): 最大值为100mA,确保其在多种应用中能够处理常见的电流需求。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大耐压达到50V,为电路提供安全边际,适用于大部分低至中压应用。
  • 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ,有助于设定合适的基极电流以达到所需的开关状态。
  • 发射极电阻 (R2): 同样为2.2 kΩ,保持电路的稳定性与线性工作状态。

3. 性能特征

  • 电流增益 (hFE): 在集电极电流为20mA,Vce为10V的条件下,DTA023EEBTL的直流电流增益的最小值为20。这使得其在开关和放大电路中表现出色,充分满足不同应用环境的需求。
  • 饱和压降 (Vce): 最大饱和压降仅为250mV,当基极电流为1mA至10mA时,显示出其良好的开关性能并为电路节省功耗。
  • 频率 - 跃迁: 工作频率高达250MHz,确保其在高频应用中表现优良,适合快速切换的数字电路要求。

4. 应用领域

DTA023EEBTL广泛应用于消费电子产品、自动化控制、信号处理、电源管理等领域,具体应用包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其低饱和压降和高电流增益特性,适合应用于开关电源电路中进行高效的电流控制。
  • 信号开关: 在音频、视频设备中,该晶体管能够作为信号开关,确保快速准确的信号切换。
  • 小型电机控制: 可用于驱动小型电机或继电器,为各种自动控制系统提供动力。
  • LED驱动: 因其良好的电流放大特性,可用于LED灯的驱动电路中,以实现高效照明。

5. 性能优势

  • 高集电极电流: 最大可处理100mA的集电极电流,使其在各种负载下均能稳定运行。
  • 小封装设计: SOT-416型封装设计减少了PCB空间的占用,适合高密度装配需求。
  • 高增益特性: 可靠的电流增益确保了在低驱动电流的情况下也能实现较大的输出电流。
  • 兼容性广: 该晶体管具有多种互换性,可以与其他同类产品无缝替换,降低设计复杂度。

6. 注意事项

在使用DTA023EEBTL时,建议在电路设计阶段充分考虑其工作电流与电压范围,避免超出最大规格。同时,适当的散热设计亦是确保其可靠性的重要因素,特别是在长时间运行的应用场景。

结论

DTA023EEBTL是ROHM研发的一款兼具高性能与紧凑设计的PNP数字晶体管,广泛适用于多种电子电路中。其优秀的电气特性使其成为现代电子设计中理想的选择,为工程师提供了高效、可靠的解决方案。无论是在消费电子、自动化控制还是其他应用领域,DTA023EEBTL都将成为提升电路性能的重要助力。