DMN10H170SFDE-7

产品概述：DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7 是一款高性能的 N 通道绝缘栅场效应晶体管（MOSFET），由 DIODES（美台）公司制造。该器件采用先进的金属氧化物半导体技术，具有出色的电气特性，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等多种电子电路中。

主要规格

电气参数：

• 漏源电压（Vdss）：DMN10H170SFDE-7 的最大漏源电压为 100V，可以有效支持多种高压应用。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，器件的连续漏极电流可达到 2.9A，提供了良好的负载驱动能力。
• 栅极驱动电压（Vgs）：该 MOSFET 适配 4.5V 和 10V 的驱动电压，可确保在不同应用场景下的高效工作。
• 导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅极电压下，器件的导通电阻最大值为 160 毫欧（当 Id 为 5A 时），这有助于降低能耗并提高输出效率。

开关特性：

• 阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 的负载电流条件下，最大阈值电压为 3V，能够保证快速开关响应。
• 栅极电荷（Qg）：在 10V 的驱动条件下，栅极电荷最大值为 9.7nC，这意味着该 MOSFET 在开关时的能量损耗相对较低，适合高频应用场合。

功率与温度特性：

• 功率耗散能力：该器件的最大功率耗散为 660mW，支持器件在高负载条件下的稳定运行和低热量生成。
• 工作温度范围：工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使得 DMN10H170SFDE-7 能够在极端环境下可靠工作，适用于各种严苛条件的应用场合。

物理特性与封装

DMN10H170SFDE-7 采用表面贴装的 U-DFN2020-6（E 类）封装设计，其紧凑的 6-UDFN 裸露焊盘结构有助于降低设备的总体占用空间和散热面积。该封装适合自动化贴装，便于在大规模生产中提升效率，同时也保证了良好的电性能和热性能。

应用

DMN10H170SFDE-7 的设计使其适用于多种应用，包括但不限于：

• 开关电源（如AC-DC转换器、DC-DC转换器）
• 电动机驱动（如电动车辆、电机控制系统）
• 日常消费电子产品（如手机、平板电脑等）
• 逆变器（如太阳能逆变器、UPS系统）
• 工业控制（如伺服电机控制）

结论

总体而言，DMN10H170SFDE-7 是一款集高性能与高可靠性于一体的 N 通道 MOSFET，适合广泛的电子应用。其优秀的导通特性与耐用的工作环境使其成为电子设计师和工程师在电力电子产品中理想的选择。无论是在高效能的开关电源设计，还是在复杂的电机驱动系统中，DMN10H170SFDE-7 都能提供出色的性能和可靠性，满足现代电子设备对节能高效的需求。