型号:

2DB1184Q-13

品牌:DIODES(美台)
封装:DPAK
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
2DB1184Q-13 产品实物图片
2DB1184Q-13 一小时发货
描述:三极管(BJT) 15W 50V 3A PNP TO-252
库存数量
库存:
1635
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.08
100+
0.828
1250+
0.702
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)1.2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@0.5A,3V
特征频率(fT)30MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)1V@2A,0.2A
工作温度-55℃~+150℃

2DB1184Q-13 产品概述

产品名称: 2DB1184Q-13
品牌: DIODES(美台)
封装类型: TO-252(D-Pak)
晶体管类型: PNP

一、产品背景

2DB1184Q-13是DIODES推出的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),专为各种电源管理和信号放大应用而设计。凭借其优异的电流和电压特性,该器件适用于工业控制、汽车电子、通信和消费电子等多个领域。

二、基本参数

该PNP晶体管的主要电气特性包括:

  • 电流 - 集电极(Ic)最大值: 3A
  • 电压 - 集射极击穿(Vceo)最大值: 50V
  • 饱和压降(Vce(sat)): 在200mA和2A的工作条件下最大值为1V
  • 集电极截止电流(ICBO)最大值: 1µA
  • DC电流增益(hFE): 在500mA和3V时,最小值为120
  • 功率 - 最大值: 15W
  • 频率 - 跃迁: 110MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

此器件的合理设计使其在高温和高电流的环境中仍能稳定工作,确保可靠性的同时,也能有效地降低功耗。

三、封装与安装

2DB1184Q-13采用TO-252(D-Pak)封装,这种表面贴装型设计不仅节省了PCB空间,还便于自动化制造。D-Pak封装结合了散热性能和电气性能的优点,能满足高功率应用的需求,同时有效降低安装时的复杂性。

四、性能优势

  1. 高电流处理能力: 该器件能够承受高达3A的集电极电流,在许多需要高输出电流的应用中表现出色。
  2. 低饱和压降: 具有较低的饱和压降(最大1V),意味着在导通状态下的功耗较低,从而提高了整体电路的能效。
  3. 宽温度范围: 工作温度范围广,可以在极端环境下进行操作,适应各种工业及汽车应用环境。
  4. 高增益特性: 最小DC电流增益达到120,保证了信号放大的稳定性和传输效率。

五、应用领域

2DB1184Q-13在多种应用中表现出色,具体包括但不限于:

  • 电源管理: 适用于DC-DC转换器、线性稳压电源等。
  • 信号放大: 适用于音频放大、射频放大等场景,提供优质的信号放大能力。
  • 驱动电路: 能够驱动马达、继电器等负载,适合于自动化设备和控制系统。
  • 汽车电子: 适用于控制和保护电路,确保安全及高效的汽车功能。

六、总结

综上所述,2DB1184Q-13是一款高性能的PNP型晶体管,凭借其实用的电气特性和适应性强的工作环境,成为各种电子设备中不可或缺的元件之一。无论是在功率管理、信号放大还是驱动电路应用中,DIODES的2DB1184Q-13都展现出优异的性能,为设计工程师提供了可靠的解决方案,是现代电子产品中一款值得引入的关键组件。