型号:

DMN2011UFDF-7

品牌:DIODES(美台)
封装:U-DFN2020-6
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN2011UFDF-7 产品实物图片
DMN2011UFDF-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.1W 20V 14.2A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存数量
库存:
1986
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.25
100+
1
750+
0.895
1500+
0.844
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)11.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@4.5V
功率(Pd)730mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)24nC
输入电容(Ciss@Vds)2.248nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)265pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

DMN2011UFDF-7 产品概述

产品简介

DMN2011UFDF-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款 N 通道 MOSFET(场效应管),具有出色的电气性能和较低的功耗,是广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动等领域的理想选择。其采用 U-DFN2020-6 贴片封装,具有优良的热管理性能,适合高密度布局设计。

关键参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流 (Id): 25°C 下可达 14.2A
  • 驱动电压 (Vgs):
    • 最大 Rds(on) 下为 1.5V
    • 最小 Rds(on) 下为 4.5V
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 4.5V 和 7A 下,最大值为 9.5 毫欧
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 下,最大值为 1V
  • 栅极电荷 (Qg): 在 10V 时,最大值为 56nC
  • 输入电容 (Ciss): 在 10V 时,最大值为 2248pF
  • 功率耗散 (Pd): 最大值为 2.1W
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: 表面贴装型,6-UDFN 裸露焊盘

性能特征

DMN2011UFDF-7 的设计使其在高负载条件下能够稳定工作,同时保持低导通电阻和高效率。这些特性使其特别适合于需要快速开关和高效率电源转换的应用。此外,其宽广的工作温度范围保证了在严苛环境条件下也能正常运行,增加了产品的适用性。

在电源管理中,DMN2011UFDF-7 可用于DC-DC转换器、开关电源和线性稳压器等设备中,为这些应用提供出色的控制和效率。在马达驱动应用中,该产品能够提供高电流输出,同时简化驱动电路的设计并减少功率损耗。

应用场景

  1. 电源管理: 适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、线性稳压器等,提高电力转换效率。
  2. 马达驱动: 可以作为马达控制电路的开关元件,用于电动工具、家用电器及汽车电机控制等。
  3. 自动化设备: 在工业自动化设备中,用于控制电机和阀门等执行器。
  4. 消费电子: 适合在各种移动设备和消费电子产品如平板电脑、智能手机中实现高效的电源管理。

封装与安装

DMN2011UFDF-7 采用 6-UDFN(裸露焊盘)封装,既节省空间又便于散热,适合高集成度电路板的需求。这种表面贴装型设计使得安装过程简便,并能够满足现代电子设备的小型化和轻量化要求。

总结

DMN2011UFDF-7 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的导通性能、良好的热管理能力和宽工作温度范围,成为多种应用领域的优选元件。尤其在电源管理和马达控制中,凭借高效率和高稳定性,能够满足各种苛刻的设计需求。对于设计工程师来说,DMN2011UFDF-7 将是提升产品性能和可靠性的理想选择。