型号:

ULN2002D1013TR

品牌:ST(意法半导体)
封装:SO-16
批次:24+
包装:编带
重量:0.284g
其他:
ULN2002D1013TR 产品实物图片
ULN2002D1013TR 一小时发货
描述:达林顿晶体管阵列 ULN2002D1013TR SOIC-16
库存数量
库存:
1000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.89
100+
1.45
1250+
1.27
2500+
1.19
产品参数
属性参数值
通道数七路
集射击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
最大输入电压(VI)30V
工作温度-40℃~+85℃

产品概述:ULN2002D1013TR

一、产品简介

ULN2002D1013TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能达林顿晶体管阵列,封装类型为16-SOIC,适用于各种电子控制和驱动应用。作为一款NPN型达林顿晶体管,ULN2002D1013TR在设计上能够实现较高的电流增益,这使得它在驱动负载(如马达、继电器和灯光等)时展现出优异的表现。

二、关键参数

  1. 晶体管类型: NPN 达林顿,适用于高增益应用。
  2. 电流 - 集电极 (Ic): 该器件最大承载集电极电流达到500mA,具备良好的负载驱动能力。
  3. 电压 - 集射极击穿(Vce): 最大击穿电压为50V,为高电压应用提供了可靠的保护。
  4. Vce饱和压降: 在工作条件下,当Ic为500µA和350mA时,Vce饱和压降最大为1.6V。这意味着在处于饱和状态时,其损耗相对较低,优化了能效。
  5. 集电极截止电流 (Ic): 在最大值处,Ic截止电流为50µA,保证了在关断状态下的低功耗特性。
  6. DC电流增益 (hFE): 在条件下,DC电流增益达到1000,表现出良好的开关速度和控制能力。
  7. 工作温度范围: 适宜在-40°C至85°C的广泛温度范围内工作,使其在严酷环境中依然保持稳定性能。
  8. 安装类型和封装: 此器件采用表面贴装型(SMD),封装为16-SO,尺寸为0.154寸(3.90mm宽),便于集成到各类现代电子设备中。

三、应用领域

ULN2002D1013TR广泛应用于各种需要高电流和高电压控制的场景,主要包括但不限于:

  • 继电器驱动: 适合通过控制逻辑信号驱动继电器,以实现开关控制。
  • 步进电机控制: 可用于驱动步进电机,在 CNC 或机器人机械结构中展现出良好的应用效果。
  • 电机控制: 包括直流电机或步进电机的正反转控制。
  • LED驱动: 在LED照明系统中作为驱动器,提供稳定的电流输出。
  • 自动化控制系统: 用于需要驱动多个负载的复杂控制系统。

四、性能优势

  1. 高电流增益: 超过1000的电流增益确保在小输入信号下,仍能驱动大负载,提高设计的灵活性和效率。
  2. 低压降: 最大1.6V的饱和压降意味着在较高载流时消耗极低的功率,优化了热管理。
  3. 宽温范围: 可以在严苛的环境条件下工作,不论是工业控制还是家用电器,均可满足高要求。
  4. 紧凑的封装设计: 16-SOIC封装使得其更适于空间有限的应用。

五、总结

ULN2002D1013TR是针对高性能电子控制应用而设计的达林顿晶体管阵列,具有高电流增益、良好的电流和电压承载能力、低功率损耗的特点,适用于各种负载驱动。无论是智能家居产品、工业自动化、还是其他复杂的控制系统,其出色的性能和广泛的应用范围都使其成为市场上的一个理想选择。针对各类应用需求,ULN2002D1013TR提供了极其优越的电流和温度特性,帮助设计师轻松应对多变的电子需求。