描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存数量
库存：
2517
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.33
100+
1.02
750+
0.854
1500+
0.776
产品参数
属性参数值
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）16 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）59nC @ 8V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2760pF @ 15V
功率耗散（最大值）730mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
DMP2021UFDF-7 产品概述
DMP2021UFDF-7 是一款由美台半导体公司（DIODES）制造的高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于各种电子电路设计中，尤其是在需要高效率和小尺寸的应用场景。该器件采用了表面贴装型（SMD）的 U-DFN2020-6 封装，适合用于现代紧凑型电子设备。
主要特性
FET 类型与技术
DMP2021UFDF-7 是 P 通道的MOSFET，适合用于高侧开关应用。MOSFET 技术使其具备优良的开关特性和低导通电阻，这些都是提高整体电路效率的关键参数。电气性能
- 漏源电压 (Vdss): 该器件的漏源电压为 20V，使其能够在许多低压应用中可靠工作。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，其最大连续漏极电流可达 9A，提供了优越的负载承载能力。
- 驱动电压: DMP2021UFDF-7 在 1.5V 至 4.5V 的驱动电压下，可实现低 Rds(on) 的导通，其导通电阻在 4.5V 时最大值为 16 毫欧（@ 7A），有效降低功耗。
热管理
- 功率耗散: 器件具有 730mW 的最大功率耗散能力（在 Ta 环境下），意味着可以在高负载条件下正常工作而不会过热。
- 工作温度: 它可在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内工作，适合高温或恶劣环境条件。
动态特性
- 栅极电荷 (Qg): 在 8V 时，栅极电荷的最大值为 59nC，这影响了驱动电路的设计，尤其是在高频开关应用中。
- Vgs(th): 栅阈值电压最大值为 1V（在 250μA 时测量），使该器件能够在较低的驱动电压下开启，适合与低电压控制电路配合使用。
输入电容 (Ciss): 在 15V 的条件下，其输入电容 Ciss 最大值为 2760pF，为快速开关提供了良好的响应能力。
应用领域
DMP2021UFDF-7 可以用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 作为高效的开关元件，尤其是在 DC-DC 变换器和电池管理系统中。
- 电机驱动: 可用于电机控制电路中的高侧开关，降低功率损耗。
- 消费电子: 适用于各类小型电子设备，支持高性能、低功耗的电源设计。
- 工业控制: 在工业自动化设备中，具有较高的温度工作范围和可靠性，能够满足严苛的环境要求。
封装与安装
DMP2021UFDF-7 采用 U-DFN2020-6 的裸露焊盘封装，具有良好的散热性能和电气特性。其小巧的外观设计使得该器件非常适合用于面积有限的电路板布局，能够有效节约PCB空间。
总结
总的来说，DMP2021UFDF-7 是一款技术先进的 P 通道 MOSFET，凭借其优异的电气参数、广泛的工作温度范围以及小型封装，适合在多种严苛和高效应用中使用。作为美台半导体的代表产品之一，DMP2021UFDF-7 的出现无疑为设计者提供了更多的灵活性和高效能的选择，助力现代电子设备的性能提升与节能环保。