描述：场效应管(MOSFET) 1.56W 20V 7.3A 1个N沟道 SOIC-8
库存数量
库存：
1987
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.77
100+
1.37
1250+
1.19
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@4.5V
功率(Pd)12.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11.6nC
输入电容(Ciss@Vds)1nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)158pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
DMN2028USS-13 产品概述
产品概述
DMN2028USS-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 SO-8 表面贴装封装，专为高效能电源管理和开关应用设计。该器件的漏源电压（Vdss）高达 20V，最大连续漏极电流（Id）可达 7.3A，非常适合在需要低导通电阻和高效率的工作环境中使用。
主要特点
低导通电阻 ： DMN2028USS-13 在 Vgs 为 4.5V 时，导通电阻（Rds On）可低至 20 毫欧，确保电流通过时的能量损耗最小化，提高整体电路效率。
广泛的工作温度范围： 器件的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适合在极端环境条件下使用，使其在汽车、电源转换器以及各种工业应用中表现尤为出色。
高栅极电荷： 该MOSFET在 Vgs 为 4.5V 时的栅极电荷（Qg）最大为 11.6nC，保证快速的开关响应，有助于实现高频操作和降低开关损耗。
高功率耗散能力： 具备最大功率耗散为 1.56W 的能力，使 DMN2028USS-13 能够处理较大的功率负荷，适用范围广泛。
理想的输入电容： 器件在 Vds 为 10V 时的输入电容（Ciss）最大为 1000pF，为驱动电路提供了优越的输入特性，进一步增强了开关性能。
应用领域
DMN2028USS-13 专为需要高开关效率和低功耗的应用而设计。其主要应用场景包括：
- DC-DC 转换器：在开关电源中，作为开关器件使用，提高电源转换效率。
- 电机驱动：可用于驱动直流电机、步进电机和其他电机类型，提供高电流操作能力。
- 负载开关：在电源管理电路中，作为负载控制开关，能够快速响应和有效控制电源分配。
- 汽车电子：能够在复杂的汽车电子系统中发挥作用，如电源管理、驱动控制及负载切换。
性能指标
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 7.3A @ 25°C
- 最大 Rds On: 20mΩ @ Id=9.4A, Vgs=4.5V
- Vgs(th) 最大值: 1.3V @ 250µA
- 最大功率耗散: 1.56W
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
结论
DMN2028USS-13 的卓越性能和广泛应用，使其成为市场上非常可靠的 N 通道 MOSFET 选择。它的低导通电阻、良好的功率耗散能力及抗环境干扰能力，使其适用于多种高性能电子应用，广泛应用于电力电子、汽车电子、工业自动化等领域。DMN2028USS-13 强大的特性使其不仅能够满足当前的高效能需求，也为未来更复杂的电子系统提供了可行的解决方案。