STF3N62K3

产品概述：STF3N62K3 N通道MOSFET

1. 概述

STF3N62K3是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N通道MOSFET，具有620V的漏源电压、2.7A的连续漏极电流和高达20W的功率耗散能力，特别适用于需要在高电压和高电流环境中运行的电子应用。这种MOSFET的设计目标是为电力转换、开关电源及其他高压电子设备提供可靠的解决方案。

2. 关键参数

• FET类型：N通道MOSFET
• 漏极源极电压（Vdss）：620V
• 连续漏极电流（Id）：2.7A（在Tc条件下）
• 导通电阻（Rds On）：最大2.5Ω（在1.4A和10V时）
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大4.5V（在50µA时）
• 栅极电压（Vgs）：最大±30V
• 输入电容（Ciss）：最大385pF（在25V时）
• 栅极电荷（Qg）：最大13nC（在10V时）
• 功率耗散（Pd）：最大20W（在Tc条件下）
• 工作温度（TJ）：150°C
• 封装类型：TO-220FP/TO-220-3，便于通孔安装

3. 应用领域

STF3N62K3广泛应用于多个领域，特别是在以下应用中表现优异：

• 电源管理：在开关电源转换器中作为开关元件，有助于提升效率和降低能量损耗。
• 电动机控制：可用于各种电动机驱动系统中，提供高效的控制与驱动能力。
• 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型逆变器中，负责将直流电转换为高质量的交流电。
• 灯光调节系统：在LED驱动电源和调光开关中作为PWM调制的核心开关元件。

4. 性能优势

• 高电压承受能力：620V的高漏极源极电压使得STF3N62K3能够满足高电压应用的需求，确保系统可在严苛环境下稳定工作。
• 低导通电阻：最大2.5Ω的导通电阻降低了在运行过程中的功耗，从而提高了系统的整体效率。
• 广泛的栅极电压操作范围：支持±30V的栅极电压，提供了设计灵活性，能够与各种驱动电路兼容。
• 高功率处理能力：最大20W的功率耗散能力使得该MOSFET能够在高功率应用中运行，减少了过热风险。
• 小巧的封装设计：TO-220封装有助于有效散热和便于安装，适应多种应用标配。

5. 结论

STF3N62K3 N通道MOSFET以其优秀的电气性能和灵活的应用能力，成为高电压、高功率电子设备中不可或缺的元件。无论是电源管理、光电应用，还是电动机控制，该器件都能提供稳定高效的解决方案，帮助设计师实现高性能高效率的系统设计。其可靠性及兼容性，使其在现代电子设计中拥有广泛的适用性，是值得推荐的一款高品质MOSFET产品。