ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA 产品概述

一、基本介绍

ZXMN2B14FHTA 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，其额定漏源电压为20V，能够在多种电子设备中实现高效的开关和放大功能。其产品封装采用流行的SOT-23（TO-236-3）表面贴装类型，适合于空间有限的应用。该器件由DIODES（美台）公司制造，凭借其良好的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电子电路设计中。

二、主要规格

ZXMN2B14FHTA 的主要技术参数如下：

• FET 类型: N通道
• 漏源电压 (Vdss): 20V
• 连续漏极电流 (Id): 3.5A (在25°C环境温度下)
• 导通电阻 (Rds On): 最大55毫欧，典型值在驱动电压为4.5V时电流为3.5A时测试
• 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大1V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大11nC @ 4.5V
• 栅源电压最大值 (Vgs): ±8V
• 输入电容 (Ciss): 最大872pF @ 10V
• 功率耗散 (Pd): 最大1W
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装规格: SOT-23-3, T0-236-3, SC-59

三、应用场景

ZXMN2B14FHTA MOSFET 适用于多种电子电路，包括但不限于：

1. 开关电源：适用于提供高效率的电源管理，例如DC/DC转换器，能够有效控制输出电压和电流。
2. 电机驱动电路：可用于小型直流电机和步进电机的驱动，提供平滑的电机控制及高效能的电流开关。
3. LED驱动：可以用于低功耗LED驱动电路的开关控制方案，确保LED的亮度和稳恒性。
4. 负载开关：完美适合用于负载的通断控制，如在各种家电和消费电子产品中。
5. 信号放大：可以作为信号放大或缓冲器件，确保信号的完整性传输。

四、技术特点

• 高效率：ZXMN2B14FHTA 的低导通电阻和高电流承载能力能够大幅减少在开关时的功率损耗，从而提高系统的整体效率，特别是在高频应用中更为明显。
• 宽工作温度范围：-55°C ~ 150°C 的温度范围使得该器件可以在严酷的环境条件下正常工作，特别适合工业、汽车和军事应用。
• 小型封装：SOT-23封装设计使其尤其适用于空间有限的PCB设计，且有助于提升系统的集成度。
• 可靠性：DIODES(美台) 的工艺和设计保证了该器件的长期稳定性和可靠性，适合对性能要求高的电子产品。

五、结论

ZXMN2B14FHTA 是一款具备卓越性能的N沟道MOSFET，适合多种应用场合，如充电电路、开关电源和电机驱动等。其高效的电气性能、宽温工作范围和小型封装设计，使其成为现代电子设计中不可或缺的关键组件。无论是在新产品开发，还是在现有设计的升级中，ZXMN2B14FHTA 都展示出极大的应用潜力与坚实的市场竞争力。