型号：
BSP372NH6327XTSA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-223
批次：2年内
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存数量
库存：
15496
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.3
1000+
1.2
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）230 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 218µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14.3nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）329pF @ 25V
功率耗散（最大值）1.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
BSP372NH6327XTSA1 产品概述
基本信息 BSP372NH6327XTSA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司制造的绝缘栅场效应管（MOSFET），具有 N 通道特性。作为一种功率半导体器件，该 MOSFET 广泛应用于各种电子电路中，特别是在开关电源和负载驱动电路等领域。它采用表面贴装型封装（SOT-223），便于现代电子设备的小型化和高效散热。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 该器件可承受的最大漏源电压为 100V，使其适用于高压应用场景。
- 连续漏电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，BSP372NH6327XTSA1 的最大连续漏极电流为 1.8A，这意味着在额定条件下，器件可以安全地处理该电流。
- 驱动电压: 该 MOSFET 具有良好的驱动电压性能，4.5V 和 10V 的驱动电压分别对应于最小和最大 Rds（导通电阻）的状态。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻为 230 毫欧（@ 1.8A），这使得器件在开关状态下的损耗较低，提高了整体电路的效率。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的最大阈值电压为 1.8V（@ 218µA），意味着在栅源电压超过该值时，MOSFET 将开始导通。
- 输入电容（Ciss）: 在 25V 的条件下，输入电容的最大值为 329pF，有助于确定开关速度及驱动电路的选择。
- 栅极电荷（Qg）: 在 10V 下，最大栅极电荷为 14.3nC，影响驱动电路的设计和开关特性。
温度和功率规格 该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，能够在严苛的环境条件下稳定工作，满足汽车电子、工业控制等要求。 最大功率耗散为 1.8W（@ Ta），在设计电路时需确保功率损耗不超过此值，以避免器件过热。
封装和应用 采用 PG-SOT223-4 封装，该 MOSFET 适合于表面贴装技术（SMT），因而能够方便地集成到现代小型电子设备中。其封装形式可以有效管理空间，同时良好的散热设计有助于提高设备的可靠性。
应用领域 BSP372NH6327XTSA1 的优异性能使其适用于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源（如 AC-DC 和 DC-DC 转换器）
- 电机驱动与控制
- 固态继电器和负载开关
- 电源管理电路
- 汽车电子应用（例如电源模块和推动器）
总结 BSP372NH6327XTSA1 MOSFET 在电源管理和高功率应用中表现出色，凭借其高漏源电压、低导通电阻和广泛的温度范围，它成为现代电子设计中的理想选择。英飞凌作为一家行业领先的半导体制造商，凭借其可靠的产品质量和技术支持，BSP372NH6327XTSA1 MOSFET 将为各类电子设计提供强大的支撑。